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SHORT-CHANNEL MOSFETS FABRICATED USING CW ND - YAG LASER ANNEALING OF AS-IMPLANTED SOURCE AND DRAIN
被引:1
作者
:
YOSHIDA, M
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YOSHIDA, M
OKABAYASHI, H
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OKABAYASHI, H
ISHIDA, K
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ISHIDA, K
机构
:
来源
:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1981年
/ 20卷
/ 11期
关键词
:
D O I
:
10.1143/JJAP.20.2121
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:2121 / 2126
页数:6
相关论文
共 12 条
[11]
NEW METHOD TO DETERMINE EFFECTIVE MOSFET CHANNEL LENGTH
TERADA, K
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机构:
Central Research Labs, Nippon Electric Co.Ltd
TERADA, K
MUTA, H
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机构:
Central Research Labs, Nippon Electric Co.Ltd
MUTA, H
[J].
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1979,
18
(05)
: 953
-
959
[12]
LASER ANNEALING OF MOS-TRANSISTOR CHANNEL IMPLANTATIONS
ZIMMER, G
论文数:
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机构:
Lehrstuhl Bauelemente der Elektrotechnik, Universität Dortmund, D-4600 Dortmund 50, W. Germany
ZIMMER, G
[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1979,
15
(06)
: 184
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[11]
NEW METHOD TO DETERMINE EFFECTIVE MOSFET CHANNEL LENGTH
TERADA, K
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Central Research Labs, Nippon Electric Co.Ltd
TERADA, K
MUTA, H
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Central Research Labs, Nippon Electric Co.Ltd
MUTA, H
[J].
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1979,
18
(05)
: 953
-
959
[12]
LASER ANNEALING OF MOS-TRANSISTOR CHANNEL IMPLANTATIONS
ZIMMER, G
论文数:
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0
机构:
Lehrstuhl Bauelemente der Elektrotechnik, Universität Dortmund, D-4600 Dortmund 50, W. Germany
ZIMMER, G
[J].
ELECTRONICS LETTERS,
1979,
15
(06)
: 184
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