TEMPERATURE TRANSIENTS OF ION-IMPLANTED SILICON-WAFERS DURING RAPID THERMAL ANNEALING

被引：2

作者：

UOOCHI, Y

SHIOYA, Y

MAEDA, M

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2100808

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：2007 / 2010

页数：4

共 6 条

DASH, WC ;

NEWMAN, R .

PHYSICAL REVIEW, 1955, 99 (04) :1151-1155

HILTON, AR ;

JONES, CE .

[3]

JAMISSON JA, 1963, INFRARED PHYSICS ENG

[4]

NISHIYAMA K, 1980, JPN J APPL PHYS, V19, P563

[5] SILICON OPTICAL CONSTANTS IN INFRARED [J].

SCHUMANN, PA ;

KEENAN, WA ;

TONG, AH ;

GEGENWARTH, HH ;

SCHNEIDER, CP .

SEIDEL, TE ;

LISCHNER, DJ ;

PAI, CS ;

LAU, SS .