REFLECTION HIGH-ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION INTENSITY OSCILLATION DURING THE GROWTH OF GAAS BY CHEMICAL-BEAM EPITAXY

被引：5

作者：

CHIU, TH ^{[1
]}

TSANG, WT ^{[1
]}

CUNNINGHAM, JE ^{[1
]}

ROBERTSON, A ^{[1
]}

机构：

[1] AT&T ENGN RES CTR,PRINCETON,NJ 08540

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1988年 / 6卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1116/1.584377

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：642 / 643

页数：2

共 4 条

CHIU, TH ;

TSANG, WT ;

CUNNINGHAM, JE .

LEWIS, BF ;

GRUNTHANER, FJ ;

MADHUKAR, A ;

LEE, TC ;

FERNANDEZ, R .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 1985, 3 (05) :1317-1322

[3]

ROBERTSON A, 1987, 8TH MOL BEAM EP WORK

TSANG, WT ;

CHIU, TH ;

CUNNINGHAM, JE ;

ROBERTSON, A .