岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210105253.6

申请日：

2012-04-11

公开(公告)号：

CN102616830B

公开(公告)日：

2012-08-01

发明(设计)人：

张明喆赵瑞姚彬彬邱明泽

申请人：

申请人地址：

130012 吉林省长春市前进大街2699号

IPC主分类号：

C01G1102

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司 22201

代理人：

王恩远

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101329746784 IPC(主分类):C01G 11/02 专利申请号:2012101052536 申请日:20120411
2014-02-12	授权	授权
2017-05-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101723171006 IPC(主分类):C01G 11/02 专利号:ZL2012101052536 申请日:20120411 授权公告日:20140212 终止日期:20160411
2012-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

制备Y掺杂Ag2S稀磁半导体纳米颗粒的方法 [P].

张明喆 ;

王盼 ;

杨鹤 .

中国专利 :CN103265063A ,2013-08-28

[2]

一种Cr掺杂CdS纳米结构的稀磁半导体及其制备方法 [P].

任银拴 .

中国专利 :CN120157183A ,2025-06-17

[3]

Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法 [P].

赵婧 ;

刘喆 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102351229A ,2012-02-15

[4]

氧掺杂六方氮化硼稀磁半导体纳米材料的制备方法 [P].

张明喆 ;

芦庆 .

中国专利 :CN108275662A ,2018-07-13

[5]

掺钇硫化镉稀磁半导体纳米材料的制备方法 [P].

张明喆 ;

王盼 .

中国专利 :CN103449506A ,2013-12-18

[6]

一种具有室温铁磁性的Fe掺杂ZnO稀磁半导体纳米颗粒的制备 [P].

刘惠莲 ;

杨景海 ;

张永军 .

中国专利 :CN102092772A ,2011-06-15

[7]

气液表面反应制备Cd1-xCoxS稀磁半导体纳米颗粒的方法 [P].

张明喆 ;

胡婷婷 ;

宗兆存 ;

邹广田 .

中国专利 :CN101941738B ,2011-01-12

[8]

强磁场下制备Co掺杂SnO2稀磁半导体材料的方法 [P].

任忠鸣 ;

徐永斌 ;

李传军 ;

程春霞 ;

李茂 ;

任维丽 .

中国专利 :CN101615466A ,2009-12-30

[9]

一种Mn掺杂AlN稀磁半导体纳米棒阵列的制备方法 [P].

吴荣 ;

娄阳 ;

姜楠楠 ;

任银拴 ;

简基康 ;

李强 ;

李锦 ;

孙言飞 .

中国专利 :CN102304699A ,2012-01-04

[10]

Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法 [P].

赵婧 ;

刘喆 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102351236A ,2012-02-15

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