岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210105253.6

申请日：

2012-04-11

公开(公告)号：

CN102616830B

公开(公告)日：

2012-08-01

发明(设计)人：

张明喆赵瑞姚彬彬邱明泽

申请人：

申请人地址：

130012 吉林省长春市前进大街2699号

IPC主分类号：

C01G1102

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司 22201

代理人：

王恩远

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101329746784 IPC(主分类):C01G 11/02 专利申请号:2012101052536 申请日:20120411
2014-02-12	授权	授权
2017-05-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101723171006 IPC(主分类):C01G 11/02 专利号:ZL2012101052536 申请日:20120411 授权公告日:20140212 终止日期:20160411
2012-08-01	公开	公开

共 50 条

[41]

半导体纳米颗粒、半导体纳米颗粒的制备方法、墨组合物、半导体纳米颗粒复合物、颜色转换结构和电子装置 [P].

裵民钟 ;

曺雅罗 ;

蔡洙仁 ;

元那渊 ;

金泽勳 ;

李准浩 ;

金泰坤 .

韩国专利 :CN120442245A ,2025-08-08

[42]

一种制备稀磁半导体薄膜的方法 [P].

王晓亮 ;

姜丽娟 ;

刘超 ;

肖红领 ;

冉军学 ;

王翠梅 .

中国专利 :CN101471244B ,2009-07-01

[43]

一种室温稀磁半导体的制备方法 [P].

刘天府 ;

谢玉玉 ;

杜睿智 ;

魏晨燕 .

中国专利 :CN105931792A ,2016-09-07

[44]

一种稀磁半导体薄膜的制备方法 [P].

彭寿 ;

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108707864A ,2018-10-26

[45]

一种Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜材料的制备方法 [P].

庞晓露 ;

高克玮 ;

杨会生 ;

王燕斌 .

中国专利 :CN101615467A ,2009-12-30

[46]

一种制备ZnO基稀磁半导体纳米线阵列的方法 [P].

贾冲 ;

陈翌庆 ;

忻敏君 ;

苏勇 ;

周汉义 .

中国专利 :CN101255600B ,2008-09-03

[47]

一种Ni掺杂AlN基稀磁半导体薄膜材料的制备方法 [P].

吴荣 ;

潘东 ;

简基康 ;

姜楠楠 ;

李锦 ;

孙言飞 .

中国专利 :CN102154621A ,2011-08-17

[48]

ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

林元华 ;

张玉骏 ;

罗屹东 ;

南策文 .

中国专利 :CN103074576B ,2013-05-01

[49]

一种稀磁半导体材料制备方法 [P].

杨晓艳 .

中国专利 :CN107833727A ,2018-03-23

[50]

一种Mn掺杂SnO2室温稀磁半导体纳米粉的制备方法 [P].

袁松柳 ;

田召明 ;

王永强 ;

何惊华 .

中国专利 :CN101219478A ,2008-07-16

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