气液表面反应制备Cd1-xCoxS稀磁半导体纳米颗粒的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010245709.X

申请日：

2010-08-05

公开(公告)号：

CN101941738B

公开(公告)日：

2011-01-12

发明(设计)人：

张明喆胡婷婷宗兆存邹广田

申请人：

申请人地址：

130012 吉林省长春市高新技术开发区前进大街2699号

IPC主分类号：

C01G5100

IPC分类号：

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司 22201

代理人：

王恩远

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-23	授权	授权
2011-01-12	公开	公开
2013-09-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101522922790 IPC(主分类):C01G 51/00 专利号:ZL201010245709X 申请日:20100805 授权公告日:20120523 终止日期:20120805
2011-03-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101056092161 IPC(主分类):C01G 51/00 专利申请号:201010245709X 申请日:20100805

共 50 条

[1]

掺钇硫化镉稀磁半导体纳米材料的制备方法 [P].

张明喆 ;

王盼 .

中国专利 :CN103449506A ,2013-12-18

[2]

制备Y掺杂Ag2S稀磁半导体纳米颗粒的方法 [P].

张明喆 ;

王盼 ;

杨鹤 .

中国专利 :CN103265063A ,2013-08-28

[3]

氧掺杂六方氮化硼稀磁半导体纳米材料的制备方法 [P].

张明喆 ;

芦庆 .

中国专利 :CN108275662A ,2018-07-13

[4]

岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒的制备方法 [P].

张明喆 ;

赵瑞 ;

姚彬彬 ;

邱明泽 .

中国专利 :CN102616830B ,2012-08-01

[5]

一种掺铕的三硫化二铟稀磁半导体纳米材料的制备方法 [P].

张明喆 ;

姚彬彬 ;

赵瑞 ;

卢思宇 .

中国专利 :CN102616831B ,2012-08-01

[6]

Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法 [P].

赵婧 ;

刘喆 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102351229A ,2012-02-15

[7]

Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法 [P].

赵婧 ;

刘喆 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102351236A ,2012-02-15

[8]

制备Mn掺杂InP：Zn基稀磁半导体的方法 [P].

杨冠东 ;

朱峰 ;

李京波 .

中国专利 :CN102108483A ,2011-06-29

[9]

NiO基稀磁半导体纳米纤维及其制备方法 [P].

林元华 ;

罗屹东 ;

张玉骏 ;

南策 .

中国专利 :CN103305964B ,2013-09-18

[10]

制备稀磁半导体Ga1－xMnxSb单晶的方法 [P].

陈晨龙 ;

陈诺夫 ;

吴金良 .

中国专利 :CN1789501A ,2006-06-21

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