制备稀磁半导体Ga1－xMnxSb单晶的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410098932.0

申请日：

2004-12-16

公开(公告)号：

CN1789501A

公开(公告)日：

2006-06-21

发明(设计)人：

陈晨龙陈诺夫吴金良

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

C30B3122

IPC分类号：

C30B2942

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

陈桢

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-06-21	公开	公开
2007-12-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

制备GaN基稀磁半导体材料的方法 [P].

张国义 ;

陈志涛 ;

苏月永 ;

杨志坚 ;

杨学林 ;

沈波 .

中国专利 :CN1822320A ,2006-08-23

[2]

一种稀磁半导体材料制备方法 [P].

杨晓艳 .

中国专利 :CN107833727A ,2018-03-23

[3]

稀磁半导体及其制备方法 [P].

韩爱文 .

中国专利 :CN108190941A ,2018-06-22

[4]

Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法 [P].

赵婧 ;

刘喆 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102351229A ,2012-02-15

[5]

Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法 [P].

赵婧 ;

刘喆 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102351236A ,2012-02-15

[6]

一种稀磁半导体的制备方法 [P].

刘天府 ;

魏晨燕 ;

邵青龙 ;

张媛 .

中国专利 :CN104064314A ,2014-09-24

[7]

Si掺杂GaN稀磁半导体粉体的制备方法 [P].

简基康 ;

阿瓦拜克力.肉苏里 ;

吴荣 ;

李锦 ;

孙言飞 .

中国专利 :CN103204681A ,2013-07-17

[8]

Co-Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

叶志镇 ;

张利强 ;

张银珠 ;

吕建国 ;

何海平 ;

朱丽萍 .

中国专利 :CN101483219A ,2009-07-15

[9]

铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置 [P].

李瑛 ;

刘聪 ;

王世伟 ;

薄伟强 ;

姚俊 ;

朱明原 ;

胡业旻 ;

金红明 .

中国专利 :CN102502782A ,2012-06-20

[10]

具有高居里温度的Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

毋志民 ;

李越 ;

丁守兵 ;

罗一瑛 ;

李可心 .

中国专利 :CN112863802A ,2021-05-28

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