半导体封装结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610600333.7

申请日：

2016-07-27

公开(公告)号：

CN106449609A

公开(公告)日：

2017-02-22

发明(设计)人：

林子闳萧景文彭逸轩

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区笃行一路一号

IPC主分类号：

H01L2504

IPC分类号：

H01L2198

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280

代理人：

何青瓦

法律状态：

发明专利申请公布后的撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-19	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 25/04 申请公布日:20170222
2017-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101708707226 IPC(主分类):H01L 25/04 专利申请号:2016106003337 申请日:20160727
2017-02-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

叶昶麟 ;

黄耀霆 .

中国专利 :CN113851436A ,2021-12-28

[2]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

黄文宏 .

中国专利 :CN113675152A ,2021-11-19

[3]

半导体封装及其形成方法 [P].

李承炫 ;

朴睿进 ;

李喜秀 ;

卓铉洙 ;

朴相俊 .

韩国专利 :CN119170607A ,2024-12-20

[4]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

许仕逸 ;

金家宇 ;

周哲雅 ;

许文松 ;

陈南诚 .

中国专利 :CN107863326A ,2018-03-30

[5]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

陈语同 ;

范国龙 ;

齐彦尧 ;

刘乃玮 ;

曹佩华 .

中国专利 :CN118116893A ,2024-05-31

[6]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

杨程 ;

章国伟 .

中国专利 :CN121215522A ,2025-12-26

[7]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

张晋强 .

中国专利 :CN120834106A ,2025-10-24

[8]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

齐彦尧 ;

刘乃玮 ;

于达人 ;

林子闳 ;

许文松 .

中国专利 :CN110911371A ,2020-03-24

[9]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

许健 ;

艾迪·凯佑·维嘉雅 ;

普佳·瑞凡卓·戴许曼 ;

莫尼卡·巴提 .

中国专利 :CN110828320B ,2020-02-21

[10]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

叶昶麟 ;

黄耀霆 .

中国专利 :CN113851431A ,2021-12-28

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