半导体封装结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311617371.X

申请日：

2023-11-28

公开(公告)号：

CN118116893A

公开(公告)日：

2024-05-31

发明(设计)人：

陈语同范国龙齐彦尧刘乃玮曹佩华

申请人：

联发科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L23/482

IPC分类号：

H01L23/485 H01L23/488 H01L21/60

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

师玮;赵鹏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/482申请日:20231128
2024-05-31	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

周智超 ;

庄正吉 ;

邱奕勋 ;

张尚文 ;

蔡庆威 .

中国专利 :CN120376508A ,2025-07-25

[2]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

应战 .

中国专利 :CN119694893A ,2025-03-25

[3]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

应战 .

中国专利 :CN119694893B ,2025-11-25

[4]

半导体封装结构、半导体器件及其形成方法 [P].

野口紘希 ;

王奕 .

中国专利 :CN117457627A ,2024-01-26

[5]

半导体封装及其形成方法 [P].

沈香谷 ;

林谷峰 ;

王良玮 ;

陈殿豪 .

中国专利 :CN115020443A ,2022-09-06

[6]

半导体衬底、半导体封装及其形成方法 [P].

何政霖 ;

李志成 .

中国专利 :CN110729204A ,2020-01-24

[7]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

许仕逸 ;

金家宇 ;

周哲雅 ;

许文松 ;

陈南诚 .

中国专利 :CN107863326A ,2018-03-30

[8]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

杨程 ;

章国伟 .

中国专利 :CN121215522A ,2025-12-26

[9]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

张晋强 .

中国专利 :CN120834106A ,2025-10-24

[10]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

齐彦尧 ;

刘乃玮 ;

于达人 ;

林子闳 ;

许文松 .

中国专利 :CN110911371A ,2020-03-24

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