半导体封装结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311617371.X

申请日：

2023-11-28

公开(公告)号：

CN118116893A

公开(公告)日：

2024-05-31

发明(设计)人：

陈语同范国龙齐彦尧刘乃玮曹佩华

申请人：

联发科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L23/482

IPC分类号：

H01L23/485 H01L23/488 H01L21/60

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

师玮;赵鹏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/482申请日:20231128
2024-05-31	公开	公开

共 50 条

[41]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

黄文宏 ;

锺燕雯 .

中国专利 :CN113540016A ,2021-10-22

[42]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

林岳儒 ;

洪志成 ;

费筠芷 .

中国专利 :CN113281840A ,2021-08-20

[43]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

何政霖 ;

李志成 .

中国专利 :CN113851432A ,2021-12-28

[44]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

唐传明 ;

徐健 ;

金政漢 .

中国专利 :CN119132979A ,2024-12-13

[45]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

徐安萱 ;

高金利 .

中国专利 :CN113990841A ,2022-01-28

[46]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

林子闳 ;

萧景文 ;

彭逸轩 .

中国专利 :CN106449609A ,2017-02-22

[47]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

叶上暐 ;

张谦维 ;

黄敏龙 .

中国专利 :CN113206070A ,2021-08-03

[48]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

凃顺财 .

中国专利 :CN113990842A ,2022-01-28

[49]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

黄文宏 .

中国专利 :CN114068476A ,2022-02-18

[50]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

赖柏辰 ;

游明志 ;

林柏尧 ;

汪金华 ;

郑心圃 .

中国专利 :CN115101488A ,2022-09-23

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