半导体封装结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110955554.7

申请日：

2021-08-19

公开(公告)号：

CN113851432A

公开(公告)日：

2021-12-28

发明(设计)人：

何政霖李志成

申请人：

申请人地址：

中国台湾高雄市

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L2156

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-28	公开	公开
2022-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/31 申请日:20210819

共 50 条

[1]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

何政霖 ;

李志成 .

中国专利 :CN113851432B ,2025-12-23

[2]

半导体封装件及其形成方法 [P].

刘重希 ;

李建勋 ;

吴俊毅 ;

侯皓程 ;

林鸿仁 ;

郑荣伟 ;

王宗鼎 ;

梁裕民 ;

邹立为 .

中国专利 :CN109585391A ,2019-04-05

[3]

半导体封装件及其形成方法 [P].

余振华 ;

林俊成 ;

蔡柏豪 .

中国专利 :CN105374693B ,2016-03-02

[4]

半导体封装件及其形成方法 [P].

张荣华 ;

何健旸 ;

高金福 .

中国专利 :CN111128762A ,2020-05-08

[5]

半导体封装件、封装件及其形成方法 [P].

吴俊毅 ;

余振华 ;

刘重希 .

中国专利 :CN112582365A ,2021-03-30

[6]

半导体封装件、封装件及其形成方法 [P].

吴俊毅 ;

余振华 ;

刘重希 .

中国专利 :CN112582365B ,2024-09-24

[7]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

许仕逸 ;

金家宇 ;

周哲雅 ;

许文松 ;

陈南诚 .

中国专利 :CN107863326A ,2018-03-30

[8]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

陈语同 ;

范国龙 ;

齐彦尧 ;

刘乃玮 ;

曹佩华 .

中国专利 :CN118116893A ,2024-05-31

[9]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

杨程 ;

章国伟 .

中国专利 :CN121215522A ,2025-12-26

[10]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

张晋强 .

中国专利 :CN120834106A ,2025-10-24

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