半导体封装结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110995117.8

申请日：

2021-08-27

公开(公告)号：

CN113851436A

公开(公告)日：

2021-12-28

发明(设计)人：

叶昶麟黄耀霆

申请人：

申请人地址：

中国台湾高雄市

IPC主分类号：

H01L2344

IPC分类号：

H01L23043 H01L2300 H01L2152

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/44 申请日:20210827
2021-12-28	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

黄文宏 .

中国专利 :CN113675152A ,2021-11-19

[2]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

林子闳 ;

萧景文 ;

彭逸轩 .

中国专利 :CN106449609A ,2017-02-22

[3]

半导体封装及其形成方法 [P].

李承炫 ;

朴睿进 ;

李喜秀 ;

卓铉洙 ;

朴相俊 .

韩国专利 :CN119170607A ,2024-12-20

[4]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

许仕逸 ;

金家宇 ;

周哲雅 ;

许文松 ;

陈南诚 .

中国专利 :CN107863326A ,2018-03-30

[5]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

陈语同 ;

范国龙 ;

齐彦尧 ;

刘乃玮 ;

曹佩华 .

中国专利 :CN118116893A ,2024-05-31

[6]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

杨程 ;

章国伟 .

中国专利 :CN121215522A ,2025-12-26

[7]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

张晋强 .

中国专利 :CN120834106A ,2025-10-24

[8]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

齐彦尧 ;

刘乃玮 ;

于达人 ;

林子闳 ;

许文松 .

中国专利 :CN110911371A ,2020-03-24

[9]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

许健 ;

艾迪·凯佑·维嘉雅 ;

普佳·瑞凡卓·戴许曼 ;

莫尼卡·巴提 .

中国专利 :CN110828320B ,2020-02-21

[10]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

叶昶麟 ;

黄耀霆 .

中国专利 :CN113851431A ,2021-12-28

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