一种栅极双重曝光图案化方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710701161.7
申请日
2017-08-16
公开(公告)号
CN107578987A
公开(公告)日
2018-01-12
发明(设计)人
李润领
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
IPC主分类号
H01L21033
IPC分类号
H01L2128
代理机构
上海申新律师事务所 31272
代理人
俞涤炯
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
一种栅极阵列图形的双重曝光制作方法 [P]. 
毛晓明 ;
毛智彪 .
中国专利 :CN105280479A ,2016-01-27
[2]
使用双重图案化技术在副轴上形成CMOS栅极的方法 [P]. 
格雷戈里·查尔斯·鲍德温 ;
斯科特·威廉·耶森 .
中国专利 :CN104716031B ,2015-06-17
[3]
双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法 [P]. 
毛智彪 .
中国专利 :CN103400753B ,2013-11-20
[4]
双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法 [P]. 
毛智彪 .
中国专利 :CN103400756A ,2013-11-20
[5]
双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法 [P]. 
毛智彪 .
中国专利 :CN103400757A ,2013-11-20
[6]
双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法 [P]. 
毛智彪 .
中国专利 :CN103488058B ,2014-01-01
[7]
双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法 [P]. 
毛智彪 .
中国专利 :CN103400758A ,2013-11-20
[8]
双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法 [P]. 
毛智彪 .
中国专利 :CN103400754A ,2013-11-20
[9]
双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法 [P]. 
毛智彪 .
中国专利 :CN103400755A ,2013-11-20
[10]
采用双重图形化技术形成栅极的方法 [P]. 
刘畅 ;
韩秋华 .
中国专利 :CN105489480A ,2016-04-13