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分离栅沟槽MOSFET的制造方法
被引：0
申请号：
CN202011137776.X
申请日：
2020-10-22
公开(公告)号：
CN114388438A
公开(公告)日：
2022-04-22
发明(设计)人：
卞铮
肖魁
方冬
申请人：
申请人地址：
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
IPC主分类号：
H01L218234
IPC分类号：
H01L29423
代理机构：
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
郭凤杰
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-04-22 | 公开 | 公开 |
| 2022-05-10 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20201022 |