沟槽型双层栅MOSFET的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910742904.4

申请日：

2019-08-13

公开(公告)号：

CN110491782B

公开(公告)日：

2019-11-22

发明(设计)人：

顾昊元蔡晨

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20190813
2021-11-09	授权	授权
2019-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽型双层栅MOSFET及其制造方法 [P].

丛茂杰 ;

顾昊元 .

中国专利 :CN109148569B ,2019-01-04

[2]

屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN106057675B ,2016-10-26

[3]

屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法 [P].

范让萱 ;

缪进征 .

中国专利 :CN106057674B ,2016-10-26

[4]

屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN105870022A ,2016-08-17

[5]

沟槽型双层栅的制造方法 [P].

陆珏 ;

陈正嵘 .

中国专利 :CN104517824B ,2015-04-15

[6]

屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法 [P].

范让萱 .

中国专利 :CN108010961A ,2018-05-08

[7]

屏蔽栅沟槽型MOSFET的制造方法 [P].

蔡晨 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN107768253A ,2018-03-06

[8]

沟槽栅MOSFET及其制造方法 [P].

陈正嵘 .

中国专利 :CN104795446A ,2015-07-22

[9]

沟槽栅MOSFET及制造方法 [P].

石磊 .

中国专利 :CN109148588A ,2019-01-04

[10]

屏蔽栅沟槽MOSFET制造方法 [P].

潘光燃 .

中国专利 :CN110429033A ,2019-11-08

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