沟槽型双层栅的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410377576.X

申请日：

2014-08-01

公开(公告)号：

CN104517824B

公开(公告)日：

2015-04-15

发明(设计)人：

陆珏陈正嵘

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-15	公开	公开
2015-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101609211439 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:201410377576X 申请日:20140801
2017-08-08	授权	授权

共 50 条

[1]

具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN105355560A ,2016-02-24

[2]

具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN105355548B ,2016-02-24

[3]

沟槽型双层栅MOSFET的制造方法 [P].

顾昊元 ;

蔡晨 .

中国专利 :CN110491782B ,2019-11-22

[4]

沟槽型双层栅MOS成膜方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN107527802A ,2017-12-29

[5]

沟槽型双层栅MOS及工艺方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN104538451B ,2015-04-22

[6]

沟槽型双层栅MOS结构的制造方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN106876276A ,2017-06-20

[7]

沟槽型双层栅MOSFET及其制造方法 [P].

丛茂杰 ;

顾昊元 .

中国专利 :CN109148569B ,2019-01-04

[8]

沟槽型双层栅MOS的工艺方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN105845579A ,2016-08-10

[9]

改善沟槽型双层栅MOS中介质层形貌的方法 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN106098544A ,2016-11-09

[10]

沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法 [P].

马清杰 ;

张朝阳 ;

金勤海 .

中国专利 :CN100552902C ,2008-12-03

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