分离栅沟槽MOSFET的制造方法

被引：0

申请号：

CN202011137776.X

申请日：

2020-10-22

公开(公告)号：

CN114388438A

公开(公告)日：

2022-04-22

发明(设计)人：

卞铮肖魁方冬

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

郭凤杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-22	公开	公开
2022-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20201022

共 50 条

[41]

沟槽栅MOSFET及其制造方法 [P].

陈正嵘 .

中国专利 :CN104795446A ,2015-07-22

[42]

沟槽栅MOSFET及制造方法 [P].

石磊 .

中国专利 :CN109148588A ,2019-01-04

[43]

一种屏蔽栅沟槽结构、屏蔽栅沟槽MOSFET [P].

孙健 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN215266310U ,2021-12-21

[44]

分离栅沟槽MOSFET器件及制备方法 [P].

苗东铭 ;

余远强 ;

杨世红 ;

徐永年 ;

李小红 .

中国专利 :CN117153885B ,2024-05-28

[45]

屏蔽栅沟槽MOSFET ESD结构的制造方法 [P].

周宏伟 ;

杨乐 ;

刘挺 ;

岳玲 .

中国专利 :CN108091573B ,2018-05-29

[46]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

焦伟 ;

余强 ;

桑雨果 ;

姚鑫 ;

骆菲 .

中国专利 :CN107808903A ,2018-03-16

[47]

具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法 [P].

李东升 .

中国专利 :CN105895516A ,2016-08-24

[48]

新型屏蔽栅沟槽MOSFET [P].

白羽 .

中国专利 :CN217903126U ,2022-11-25

[49]

用于制造沟槽MOSFET的方法 [P].

M·林 ;

O·鲁施 ;

T·埃尔巴赫尔 ;

T·希莱杰夫斯基 ;

H·施利希廷 .

中国专利 :CN113838745A ,2021-12-24

[50]

分离栅浮栅尖端的制造方法 [P].

龚新军 .

中国专利 :CN101110357A ,2008-01-23

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