非真空坩埚下降法生长锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法

被引：0

申请号：

CN202011255588.7

申请日：

2020-11-11

公开(公告)号：

CN114481320A

公开(公告)日：

2022-05-13

发明(设计)人：

吴云涛史坚李焕英任国浩

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

C30B2912

IPC分类号：

C30B1102 G01T1202

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;郑优丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/12 申请日:20201111
2022-05-13	公开	公开

共 50 条

[1]

真空封闭式坩埚下降法生长掺铊碘化钠单晶体 [P].

张红武 ;

黄朝恩 .

中国专利 :CN101824646A ,2010-09-08

[2]

锂铊共掺碘化钠闪烁晶体制备方法 [P].

吴云涛 ;

史坚 ;

李焕英 ;

任国浩 .

中国专利 :CN115404546B ,2024-07-16

[3]

锂铊共掺碘化钠闪烁晶体制备方法 [P].

吴云涛 ;

史坚 ;

李焕英 ;

任国浩 .

中国专利 :CN115404546A ,2022-11-29

[4]

锂铊共掺碘化钠闪烁晶体、制备方法及应用 [P].

吴云涛 ;

王京康 ;

史坚 ;

李焕英 ;

任国浩 .

中国专利 :CN115637148A ,2023-01-24

[5]

一种非真空坩埚下降法生长碘化锶闪烁晶体的方法 [P].

秦来顺 ;

史宏声 ;

舒康颖 .

中国专利 :CN101982568B ,2011-03-02

[6]

非真空下降法生长掺铊碘化铯晶体的工艺技术 [P].

沈定中 ;

殷之文 ;

邓群 ;

马铭华 .

中国专利 :CN1199105A ,1998-11-18

[7]

碘化铯和掺铊碘化铯单晶的坩埚下降法生长工艺 [P].

唐华纯 ;

李国荣 ;

曹家军 ;

吴中元 .

中国专利 :CN102383195A ,2012-03-21

[8]

一种掺铊碘化钠晶体的制备方法 [P].

何高魁 ;

闫平 ;

李永 ;

郑玉来 ;

王强 ;

王国宝 ;

刘超 .

中国专利 :CN117737854A ,2024-03-22

[9]

新型闪烁晶体LaBr3:Ce3+的坩埚下降法生长工艺 [P].

陈红兵 ;

杨培志 ;

周昌勇 ;

肖华平 ;

蒋成勇 .

中国专利 :CN101070607A ,2007-11-14

[10]

一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法 [P].

任国浩 ;

裴钰 ;

陈晓峰 ;

李中波 ;

陆晟 ;

沈勇 .

中国专利 :CN100385045C ,2006-06-28

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