非真空坩埚下降法生长锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法

被引：0

申请号：

CN202011255588.7

申请日：

2020-11-11

公开(公告)号：

CN114481320A

公开(公告)日：

2022-05-13

发明(设计)人：

吴云涛史坚李焕英任国浩

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

C30B2912

IPC分类号：

C30B1102 G01T1202

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;郑优丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/12 申请日:20201111
2022-05-13	公开	公开

共 50 条

[41]

一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法 [P].

齐红基 ;

秦娟 ;

杨珍妮 ;

陈端阳 .

中国专利 :CN117344372A ,2024-01-05

[42]

一种坩埚下降法生长氧化镓晶体的生长装置及方法 [P].

齐红基 ;

黄东阳 ;

徐子骞 .

中国专利 :CN119736700A ,2025-04-01

[43]

下降法生长晶体坩埚底部籽晶的装夹方法及装置 [P].

李毅 ;

臧春雨 ;

姜晓光 ;

臧春和 ;

万玉春 .

中国专利 :CN105239149B ,2016-01-13

[44]

铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其坩埚下降法制备方法 [P].

丁栋舟 ;

杨帆 ;

任国浩 ;

潘尚可 ;

张卫东 ;

陈晓峰 .

中国专利 :CN102021651B ,2011-04-20

[45]

多坩埚下降法制备氟化镁晶体的生长设备 [P].

李百中 ;

李铮 ;

施振华 ;

侯印春 .

中国专利 :CN206070043U ,2017-04-05

[46]

实现生长速度自适应的坩埚下降法晶体生长装置及方法 [P].

苏良碧 ;

吴庆辉 ;

姜大朋 ;

寇华敏 ;

唐飞 ;

张博 ;

张中晗 .

中国专利 :CN117737823A ,2024-03-22

[47]

坩埚下降法生长近化学计量比铌酸锂单晶的方法 [P].

徐军 ;

王海丽 ;

周圣明 ;

张连翰 ;

杭寅 ;

周国清 ;

赵广军 ;

司继良 .

中国专利 :CN1216185C ,2004-07-21

[48]

锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法 [P].

徐家跃 ;

周娟 ;

武安华 ;

华王祥 ;

林雅芳 ;

陆宝亮 ;

童健 ;

范世 .

中国专利 :CN1213176C ,2003-08-06

[49]

一种硅酸铋闪烁晶体的旋转下降法生长工艺 [P].

周尧 ;

袁晖 ;

熊巍 ;

陈良 .

中国专利 :CN110295394A ,2019-10-01

[50]

测温组件及坩埚下降法晶体生长炉内部温度的测量方法 [P].

齐红基 ;

徐子骞 ;

吕梦杰 ;

朱晓波 .

中国专利 :CN118687713A ,2024-09-24

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