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非真空坩埚下降法生长锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法
被引:0
申请号
:
CN202011255588.7
申请日
:
2020-11-11
公开(公告)号
:
CN114481320A
公开(公告)日
:
2022-05-13
发明(设计)人
:
吴云涛
史坚
李焕英
任国浩
申请人
:
申请人地址
:
200050 上海市长宁区定西路1295号
IPC主分类号
:
C30B2912
IPC分类号
:
C30B1102
G01T1202
代理机构
:
上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261
代理人
:
曹芳玲;郑优丽
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-05-31
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/12 申请日:20201111
2022-05-13
公开
公开
共 50 条
[21]
一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法生长设备
[P].
吴少凡
论文数:
0
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吴少凡
;
叶宁
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叶宁
;
苏伟平
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苏伟平
.
中国专利
:CN202465955U
,2012-10-03
[22]
五氧化三钛晶体的坩埚下降法生长方法
[P].
李新华
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李新华
;
吴宪君
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吴宪君
.
中国专利
:CN101280456B
,2008-10-08
[23]
掺钕硼酸钆钙晶体的坩埚下降法生长技术
[P].
钟真武
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钟真武
;
范世
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范世
;
徐家跃
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徐家跃
;
罗军
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罗军
;
孙仁英
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孙仁英
;
钱国兴
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钱国兴
.
中国专利
:CN1320723A
,2001-11-07
[24]
铝酸铍晶体的坩埚下降法生长方法
[P].
齐红基
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齐红基
;
李百中
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李百中
;
赛青林
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赛青林
;
王晓亮
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王晓亮
;
张建忠
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张建忠
;
马笑山
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马笑山
.
中国专利
:CN108060456A
,2018-05-22
[25]
共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体及其制备方法和应用
[P].
吴云涛
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吴云涛
;
任国浩
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任国浩
;
陈晓峰
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陈晓峰
;
李焕英
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李焕英
;
潘尚可
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潘尚可
.
中国专利
:CN103388179B
,2013-11-13
[26]
一种提高坩埚下降法生长的掺铈硅酸钇镥晶体闪烁性能的方法
[P].
周世斌
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周世斌
;
王桂素
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王桂素
;
沈定中
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沈定中
.
中国专利
:CN105220234B
,2016-01-06
[27]
一种具有与透镜组配合的出射面的掺铊碘化钠闪烁晶体辐射探测器
[P].
左慈斌
论文数:
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0
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左慈斌
.
中国专利
:CN110737015A
,2020-01-31
[28]
四硼酸锂(LBO)单晶的坩埚下降法生长
[P].
范世
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0
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范世
.
中国专利
:CN1015920B
,1990-05-30
[29]
一种碘化钠晶体的生长装置及晶体生长方法
[P].
徐悟生
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机构:
扬州佰烁晶体科技有限公司
扬州佰烁晶体科技有限公司
徐悟生
;
张斌
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机构:
扬州佰烁晶体科技有限公司
扬州佰烁晶体科技有限公司
张斌
.
中国专利
:CN120866923A
,2025-10-31
[30]
硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术
[P].
周娟
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周娟
;
徐家跃
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徐家跃
;
华王祥
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华王祥
;
范世
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范世
.
中国专利
:CN1196816C
,2003-01-08
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