非真空坩埚下降法生长锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法

被引:0
申请号
CN202011255588.7
申请日
2020-11-11
公开(公告)号
CN114481320A
公开(公告)日
2022-05-13
发明(设计)人
吴云涛 史坚 李焕英 任国浩
申请人
申请人地址
200050 上海市长宁区定西路1295号
IPC主分类号
C30B2912
IPC分类号
C30B1102 G01T1202
代理机构
上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261
代理人
曹芳玲;郑优丽
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[21]
一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法生长设备 [P]. 
吴少凡 ;
叶宁 ;
苏伟平 .
中国专利 :CN202465955U ,2012-10-03
[22]
五氧化三钛晶体的坩埚下降法生长方法 [P]. 
李新华 ;
吴宪君 .
中国专利 :CN101280456B ,2008-10-08
[23]
掺钕硼酸钆钙晶体的坩埚下降法生长技术 [P]. 
钟真武 ;
范世 ;
徐家跃 ;
罗军 ;
孙仁英 ;
钱国兴 .
中国专利 :CN1320723A ,2001-11-07
[24]
铝酸铍晶体的坩埚下降法生长方法 [P]. 
齐红基 ;
李百中 ;
赛青林 ;
王晓亮 ;
张建忠 ;
马笑山 .
中国专利 :CN108060456A ,2018-05-22
[25]
共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体及其制备方法和应用 [P]. 
吴云涛 ;
任国浩 ;
陈晓峰 ;
李焕英 ;
潘尚可 .
中国专利 :CN103388179B ,2013-11-13
[26]
一种提高坩埚下降法生长的掺铈硅酸钇镥晶体闪烁性能的方法 [P]. 
周世斌 ;
王桂素 ;
沈定中 .
中国专利 :CN105220234B ,2016-01-06
[27]
一种具有与透镜组配合的出射面的掺铊碘化钠闪烁晶体辐射探测器 [P]. 
左慈斌 .
中国专利 :CN110737015A ,2020-01-31
[28]
四硼酸锂(LBO)单晶的坩埚下降法生长 [P]. 
范世 .
中国专利 :CN1015920B ,1990-05-30
[29]
一种碘化钠晶体的生长装置及晶体生长方法 [P]. 
徐悟生 ;
张斌 .
中国专利 :CN120866923A ,2025-10-31
[30]
硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术 [P]. 
周娟 ;
徐家跃 ;
华王祥 ;
范世 .
中国专利 :CN1196816C ,2003-01-08