一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510110784.4

申请日：

2005-11-25

公开(公告)号：

CN100385045C

公开(公告)日：

2006-06-28

发明(设计)人：

任国浩裴钰陈晓峰李中波陆晟沈勇

申请人：

申请人地址：

200050上海市定西路1295号

IPC主分类号：

C30B1100

IPC分类号：

C30B2912

代理机构：

上海智信专利代理有限公司

代理人：

潘振甦

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-04-30	授权	授权
2018-01-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 11/00 申请日:20051125 授权公告日:20080430 终止日期:20161125
2006-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-06-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种非真空坩埚下降法生长碘化锶闪烁晶体的方法 [P].

秦来顺 ;

史宏声 ;

舒康颖 .

中国专利 :CN101982568B ,2011-03-02

[2]

硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术 [P].

周娟 ;

徐家跃 ;

华王祥 ;

范世 .

中国专利 :CN1196816C ,2003-01-08

[3]

非真空坩埚下降法生长锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法 [P].

吴云涛 ;

史坚 ;

李焕英 ;

任国浩 .

中国专利 :CN114481320A ,2022-05-13

[4]

坩埚下降法晶体生长炉的下降装置 [P].

臧春雨 ;

臧春和 ;

姜晓光 ;

李毅 ;

葛济铭 ;

万玉春 ;

贾志旭 .

中国专利 :CN103046115A ,2013-04-17

[5]

多坩埚下降法晶体生长系统 [P].

万尤宝 .

中国专利 :CN200992592Y ,2007-12-19

[6]

一种非真空下降法生长氟化铈晶体的方法 [P].

岳世海 ;

朱勇 ;

王威 ;

殷学技 ;

徐海芳 ;

潘裕柏 ;

葛增伟 .

中国专利 :CN104975345A ,2015-10-14

[7]

一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法 [P].

陈端阳 ;

齐红基 ;

秦娟 ;

孙栋晴 .

中国专利 :CN117344371A ,2024-01-05

[8]

铝酸铍晶体的坩埚下降法生长方法 [P].

齐红基 ;

李百中 ;

赛青林 ;

王晓亮 ;

张建忠 ;

马笑山 .

中国专利 :CN108060456A ,2018-05-22

[9]

一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法 [P].

齐红基 ;

秦娟 ;

杨珍妮 ;

陈端阳 .

中国专利 :CN117344372A ,2024-01-05

[10]

一种坩埚下降法生长氧化镓晶体的生长装置及方法 [P].

齐红基 ;

黄东阳 ;

徐子骞 .

中国专利 :CN119736700A ,2025-04-01

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