一种非真空下降法生长氟化铈晶体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410136597.2

申请日：

2014-04-04

公开(公告)号：

CN104975345A

公开(公告)日：

2015-10-14

发明(设计)人：

岳世海朱勇王威殷学技徐海芳潘裕柏葛增伟

申请人：

申请人地址：

201800 上海市嘉定区城北路215号

IPC主分类号：

C30B2912

IPC分类号：

C30B1100

代理机构：

上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258

代理人：

何葆芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101633321293 IPC(主分类):C30B 29/12 专利申请号:2014101365972 申请日:20140404
2015-10-14	公开	公开
2018-11-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 29/12 申请公布日:20151014

共 50 条

[1]

非真空下降法生长掺铊碘化铯晶体的工艺技术 [P].

沈定中 ;

殷之文 ;

邓群 ;

马铭华 .

中国专利 :CN1199105A ,1998-11-18

[2]

一种非真空坩埚下降法生长碘化锶闪烁晶体的方法 [P].

秦来顺 ;

史宏声 ;

舒康颖 .

中国专利 :CN101982568B ,2011-03-02

[3]

一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法 [P].

任国浩 ;

裴钰 ;

陈晓峰 ;

李中波 ;

陆晟 ;

沈勇 .

中国专利 :CN100385045C ,2006-06-28

[4]

一种坩埚下降法生长掺铈硅酸钇镥闪烁晶体的方法 [P].

周世斌 ;

沈定中 ;

林东科 .

中国专利 :CN104073877A ,2014-10-01

[5]

坩埚下降法晶体生长炉的下降装置 [P].

臧春雨 ;

臧春和 ;

姜晓光 ;

李毅 ;

葛济铭 ;

万玉春 ;

贾志旭 .

中国专利 :CN103046115A ,2013-04-17

[6]

一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法 [P].

陈端阳 ;

齐红基 ;

秦娟 ;

孙栋晴 .

中国专利 :CN117344371A ,2024-01-05

[7]

一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法 [P].

齐红基 ;

秦娟 ;

杨珍妮 ;

陈端阳 .

中国专利 :CN117344372A ,2024-01-05

[8]

一种坩埚下降法生长氧化镓晶体的生长装置及方法 [P].

齐红基 ;

黄东阳 ;

徐子骞 .

中国专利 :CN119736700A ,2025-04-01

[9]

多坩埚下降法制备氟化镁晶体的生长设备 [P].

李百中 ;

李铮 ;

施振华 ;

侯印春 .

中国专利 :CN206070043U ,2017-04-05

[10]

一种制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法生长设备 [P].

吴少凡 ;

叶宁 ;

苏伟平 .

中国专利 :CN202465955U ,2012-10-03

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