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一种碳化硅晶圆表面抛光方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410131195.7
申请日：
2024-01-30
公开(公告)号：
CN118123697A
公开(公告)日：
2024-06-04
发明(设计)人：
左晓磊 王磊 张康 刘永进 李婷
申请人：
北京晶亦精微科技股份有限公司
申请人地址：
100176 北京市大兴区经济技术开发区泰河三街1号2幢2层101
IPC主分类号：
B24B37/00
IPC分类号：
B24B1/00
代理机构：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250
代理人：
刘艳霞
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-06-21 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):B24B 37/00申请日:20240130
2024-06-04 公开 公开
共 50 条
[1]
碳化硅晶圆和碳化硅晶圆的氧化方法 [P]. 
林秀岩 ;
曹力力 ;
陈伟 ;
张永熙 ;
袁志巧 .
中国专利 :CN120322001A ,2025-07-15
[2]
碳化硅晶圆抛光装置 [P]. 
韩波 ;
韩宗考 ;
孟璇 .
中国专利 :CN120480794A ,2025-08-15
[3]
一种高质量碳化硅抛光液及碳化硅晶圆 [P]. 
陈晓青 .
中国专利 :CN118497877A ,2024-08-16
[4]
一种碳化硅晶圆双面同步抛光方法 [P]. 
王万堂 ;
王蓉 ;
皮孝东 ;
鲁雪松 ;
杨德仁 .
中国专利 :CN118493094B ,2024-10-08
[5]
一种碳化硅晶圆双面同步抛光方法 [P]. 
王万堂 ;
王蓉 ;
皮孝东 ;
鲁雪松 ;
杨德仁 .
中国专利 :CN118493094A ,2024-08-16
[6]
一种碳化硅晶圆抛光液 [P]. 
梁振 .
中国专利 :CN116656243B ,2024-03-29
[7]
一种碳化硅晶圆抛光液及其制备方法 [P]. 
何波 ;
杨阳 ;
凌观爽 .
中国专利 :CN120399578A ,2025-08-01
[8]
一种碳化硅晶圆表面清洗方法 [P]. 
王万堂 ;
皮孝东 ;
杨德仁 .
中国专利 :CN121034948A ,2025-11-28
[9]
一种用于碳化硅晶圆的抛光垫及抛光方法 [P]. 
张莉娟 .
中国专利 :CN117067104B ,2024-01-02
[10]
碳化硅晶圆表面检验装置 [P]. 
李远田 .
中国专利 :CN216671565U ,2022-06-03
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