存储器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202180097299.5

申请日：

2021-06-15

公开(公告)号：

CN117337621A

公开(公告)日：

2024-01-02

发明(设计)人：

范人士侯朝昭许俊豪

申请人：

华为技术有限公司

申请人地址：

518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

张昊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20210615
2024-01-02	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体存储器件及其制造方法 [P].

宋映槿 ;

严祥训 ;

李镕珍 ;

赵珉熙 .

韩国专利 :CN118368887A ,2024-07-19

[2]

存储器阵列及其制造方法 [P].

杨柏峰 ;

杨世海 ;

吴昭谊 ;

王圣祯 ;

林佑明 .

中国专利 :CN113517303A ,2021-10-19

[3]

存储器及其制造方法、半导体器件及电子设备 [P].

毛淑娟 ;

赵超 ;

王桂磊 .

中国专利 :CN118510261A ,2024-08-16

[4]

存储器单元、存储器器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

杨世海 ;

杨柏峰 ;

林佑明 ;

张志宇 .

中国专利 :CN113380821B ,2024-12-24

[5]

存储器单元、存储器器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540116A ,2021-10-22

[6]

存储器单元、存储器器件及其形成方法 [P].

吕俊颉 ;

杨世海 ;

杨柏峰 ;

林佑明 ;

张志宇 .

中国专利 :CN113380821A ,2021-09-10

[7]

存储器单元、存储器器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540116B ,2024-08-02

[8]

存储器单元、存储器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540114B ,2024-11-12

[9]

存储器单元、存储器件及其形成方法 [P].

蒋国璋 ;

孙宏彰 ;

赖昇志 ;

杨子庆 ;

江昱维 .

中国专利 :CN113540114A ,2021-10-22

[10]

静态随机存储器及其制造方法 [P].

朴盛羲 .

中国专利 :CN100573877C ,2007-07-04

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