半导体制造过程中的决定方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080011275.9

申请日：

2020-01-09

公开(公告)号：

CN113366390B

公开(公告)日：

2024-02-20

发明(设计)人：

A·胡包克斯 J·F·M·贝克尔斯 D·J·D·戴维斯 J·G·C·昆尼 W·R·彭格斯 A·R·戴韦尔李忠勳 G·齐萝扬尼斯 H·C·A·博格 F·E·德荣格 J·M·冈萨雷斯韦斯卡 A·V·霍洛德 M·皮萨连科

申请人：

ASML荷兰有限公司

申请人地址：

荷兰维德霍温

IPC主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G05B23/02 G05B19/418

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

胡良均

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

共 50 条

[1]

半导体制造过程中的决定方法 [P].

A·胡包克斯 ;

J·F·M·贝克尔斯 ;

D·J·D·戴维斯 ;

J·G·C·昆尼 ;

W·R·彭格斯 ;

A·R·戴韦尔 ;

李忠勳 ;

G·齐萝扬尼斯 ;

H·C·A·博格 ;

F·E·德荣格 ;

J·M·冈萨雷斯韦斯卡 ;

A·V·霍洛德 ;

M·皮萨连科 .

中国专利 :CN113366390A ,2021-09-07

[2]

控制半导体制造过程中的产品流 [P].

施卫平 .

中国专利 :CN111433690A ,2020-07-17

[3]

在半导体制造过程中应用沉积模式的方法 [P].

M·皮萨连科 ;

M·范德斯卡 ;

张怀辰 ;

玛丽亚-克莱尔·范拉尔 .

中国专利 :CN114026500A ,2022-02-08

[4]

在半导体制造过程中应用沉积模式的方法 [P].

M·皮萨连科 ;

M·范德斯卡 ;

张怀辰 ;

玛丽亚-克莱尔·范拉尔 .

:CN114026500B ,2025-01-03

[5]

半导体制造过程中的故障监测系统及方法 [P].

黎焕诚 .

中国专利 :CN113539879A ,2021-10-22

[6]

半导体制造过程中质量计量装置 [P].

孙正 .

中国专利 :CN117816560A ,2024-04-05

[7]

半导体制造过程中废气处理系统 [P].

张桂华 ;

刘畅 .

中国专利 :CN119778733A ,2025-04-08

[8]

用于半导体制造过程中的扩散室及其扩散方法 [P].

叶瑾琳 ;

廖世蓉 .

中国专利 :CN103603051B ,2014-02-26

[9]

预测半导体制造过程中的所关注的参数的方法 [P].

S·罗伊 ;

R·沃克曼 ;

D·曼内克 .

:CN120077331A ,2025-05-30

[10]

用于半导体制造过程中石英舟转移设备 [P].

兰锋 ;

郑涛 ;

郑俊 .

中国专利 :CN117878039B ,2024-06-14

← 1 2 3 4 5 →

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-20	授权	授权