利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710009396.6

申请日：

2007-08-22

公开(公告)号：

CN101118850A

公开(公告)日：

2008-02-06

发明(设计)人：

陈松岩张小英汪建元赖虹凯

申请人：

申请人地址：

361005福建省厦门市思明南路422号

IPC主分类号：

H01L2118

IPC分类号：

H01L2120

代理机构：

厦门南强之路专利事务所

代理人：

马应森

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101183798163 IPC(主分类):H01L 21/18 专利申请号:2007100093966 公开日:20080206
2008-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-02-06	公开	公开

共 50 条

[1]

利用固体激光器无损剥离GaN与蓝宝石衬底的方法 [P].

张国义 ;

孙永健 ;

康香宁 ;

陈志忠 ;

杨志坚 ;

杨欣荣 .

中国专利 :CN101740331B ,2010-06-16

[2]

一种无损伤的GaN衬底激光剥离方法 [P].

刘南柳 ;

陈蛟 ;

熊欢 ;

张国义 .

中国专利 :CN105720141B ,2016-06-29

[3]

在硅衬底上形成GaN层的方法以及GaN衬底 [P].

J·拉姆德尼 ;

J·P·爱德华兹 ;

L·刘 .

中国专利 :CN106206258B ,2016-12-07

[4]

制备GaN衬底的自分离方法 [P].

修向前 ;

李悦文 ;

张荣 ;

华雪梅 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

刘斌 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN109023515A ,2018-12-18

[5]

改进的激光准剥离消除GaN外延片残余应力的方法 [P].

孙永健 ;

张国义 ;

陆羽 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN102148139A ,2011-08-10

[6]

激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法 [P].

张荣 ;

修向前 ;

徐剑 ;

顾书林 ;

卢佃清 ;

毕朝霞 ;

沈波 ;

刘治国 ;

江若琏 ;

施毅 ;

朱顺明 ;

韩平 ;

胡立群 .

中国专利 :CN1383185A ,2002-12-04

[7]

基于飞秒激光技术的GaN薄膜与蓝宝石衬底的剥离方法 [P].

刘胜 ;

付兴铭 ;

刘亦杰 ;

郑怀 ;

沈沁宇 .

中国专利 :CN105006446A ,2015-10-28

[8]

GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法 [P].

张国义 ;

康香宁 ;

陈志忠 ;

陈皓明 ;

秦志新 ;

于彤军 ;

胡晓东 ;

章蓓 ;

杨志坚 .

中国专利 :CN1779900A ,2006-05-31

[9]

将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法 [P].

陈辰 ;

宋杰 ;

崔周源 .

中国专利 :CN109585615B ,2019-04-05

[10]

利用过渡金属氮化物牺牲层制备氮化物单晶衬底的方法 [P].

王新强 ;

刘放 ;

沈波 ;

吴洁君 ;

荣新 ;

郑显通 ;

盛博文 ;

杨流云 ;

盛珊珊 .

中国专利 :CN110172732A ,2019-08-27

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