一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910077369.1

申请日：

2009-02-19

公开(公告)号：

CN101814430B

公开(公告)日：

2010-08-25

发明(设计)人：

刘明刘璟王琴龙世兵

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L21324 H01L218247 C23C1600 B82B300

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周国城

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-10-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101007482416 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2009100773691 申请日:20090219
2010-08-25	公开	公开
2011-04-27	授权	授权

共 50 条

[1]

浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法 [P].

刘明 ;

刘璟 ;

王琴 ;

龙世兵 .

中国专利 :CN101807521A ,2010-08-18

[2]

浮栅非易失性存储器 [P].

林丰 ;

中西章滋 ;

五岛澄隆 .

中国专利 :CN100539155C ,2006-02-15

[3]

金属浮栅在非易失性存储器中的集成 [P].

F.周 ;

X.刘 ;

J-W.杨 ;

N.杜 .

中国专利 :CN108292516A ,2018-07-17

[4]

分栅型埋入式浮栅的非易失性存储器的制造方法 [P].

江红 ;

李冰寒 .

中国专利 :CN101777520A ,2010-07-14

[5]

分栅型埋入式浮栅的非易失性存储器及其制造方法 [P].

江红 .

中国专利 :CN101770991B ,2010-07-07

[6]

具有电荷俘获层的非易失性存储器及其制造方法 [P].

朴基善 ;

周文植 ;

金容漯 ;

朴宰颍 ;

李起洪 .

中国专利 :CN101431105A ,2009-05-13

[7]

电荷俘获层的制备方法及非易失性存储器件 [P].

杜雪 ;

刘青松 ;

宋时宇 .

中国专利 :CN119170486A ,2024-12-20

[8]

制造具有电荷俘获层的非易失性存储器元件的方法 [P].

周文植 ;

皮升浩 ;

朴基善 ;

赵兴在 ;

金容漯 .

中国专利 :CN101335208B ,2008-12-31

[9]

在专用沟槽中具有浮栅的非易失性存储器单元 [P].

邢精成 ;

刘国勇 ;

X·刘 ;

王春明 ;

刁颖 ;

N·杜 .

中国专利 :CN110021602A ,2019-07-16

[10]

一种多层浮栅非易失性存储器结构及其制作方法 [P].

刘明 ;

王永 ;

王琴 ;

杨潇楠 .

中国专利 :CN101814505A ,2010-08-25

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