半导体器件以及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410067292.0

申请日：

2014-02-25

公开(公告)号：

CN104425610A

公开(公告)日：

2015-03-18

发明(设计)人：

高田修

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2908 H01L29423 H01L27092 H01L21336

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

舒雄文;蹇炜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-18	公开	公开
2017-11-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20150318
2015-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101605749250 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014100672920 申请日:20140225

共 50 条

[1]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

李到显 ;

李宰求 ;

权永振 ;

朴泳雨 ;

李载德 .

中国专利 :CN105244351B ,2016-01-13

[2]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

金锡勋 ;

权兑昱 ;

郑秀珍 ;

金永弼 ;

李炳赞 ;

具本荣 .

中国专利 :CN104103687A ,2014-10-15

[3]

半导体器件以及其制造方法 [P].

T.迈尔 ;

W.施韦特利克 .

中国专利 :CN104465656B ,2015-03-25

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

黄儁 .

中国专利 :CN1143260A ,1997-02-19

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

安武信昭 .

中国专利 :CN1870295A ,2006-11-29

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

吉田浩介 .

中国专利 :CN101546771B ,2009-09-30

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐久间崇 .

中国专利 :CN101256981B ,2008-09-03

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐竹秀喜 ;

生田目俊秀 .

中国专利 :CN101038879A ,2007-09-19

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

权炳昊 ;

金哲 ;

金镐永 ;

朴世廷 ;

金明哲 ;

姜甫京 ;

尹普彦 ;

崔在光 ;

崔时荣 ;

郑锡勋 ;

成金重 ;

郑熙暾 ;

崔容准 ;

韩智恩 .

中国专利 :CN104347717B ,2015-02-11

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

罗军 ;

童克友 ;

许静 ;

许滨滨 .

中国专利 :CN120456582A ,2025-08-08

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