半导体器件以及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410470355.7
申请日
2014-09-16
公开(公告)号
CN104465656B
公开(公告)日
2015-03-25
发明(设计)人
T.迈尔 W.施韦特利克
申请人
申请人地址
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
IPC主分类号
H01L27088
IPC分类号
H01L2978 H01L218234
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
申屠伟进;马永利
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P]. 
吉川俊英 .
中国专利 :CN103715244B ,2014-04-09
[2]
半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P]. 
丁明镇 .
中国专利 :CN1949538A ,2007-04-18
[3]
半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P]. 
岛昌司 .
中国专利 :CN103208494A ,2013-07-17
[4]
半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P]. 
R.鲁道夫 ;
T.施勒泽 ;
R.魏斯 .
中国专利 :CN103579233A ,2014-02-12
[5]
半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P]. 
中村哲一 ;
山田敦史 ;
石黑哲郎 ;
小谷淳二 ;
今西健治 .
中国专利 :CN103715248A ,2014-04-09
[6]
半导体器件以及其制造方法 [P]. 
鸟居克行 .
中国专利 :CN101040386A ,2007-09-19
[7]
半导体器件以及其制造方法 [P]. 
松本雅弘 ;
前川和义 ;
河野祐一 .
中国专利 :CN105720027A ,2016-06-29
[8]
半导体器件以及其制造方法 [P]. 
竹胁利至 ;
上野和良 .
中国专利 :CN1815728A ,2006-08-09
[9]
半导体器件以及其制造方法 [P]. 
高田修 .
中国专利 :CN104425610A ,2015-03-18
[10]
半导体器件以及其制造方法 [P]. 
宇佐美光雄 .
中国专利 :CN100461410C ,2006-07-12