低温烧结介电组合物以及由其形成的多层陶瓷电容器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510941384.1

申请日：

2015-12-16

公开(公告)号：

CN105693236B

公开(公告)日：

2016-06-22

发明(设计)人：

洪旻熙

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

C04B35468

IPC分类号：

H01G430

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

刘奕晴;金光军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-22	公开	公开
2020-12-01	授权	授权
2017-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/468 申请日:20151216

共 50 条

[1]

可低温烧结的介电陶瓷组合物和使用其的多层陶瓷电容器 [P].

金赞恭 ;

许康宪 ;

罗恩相 ;

孙圣范 ;

宋泰镐 ;

郑汉胜 .

中国专利 :CN1903787A ,2007-01-31

[2]

介电陶瓷组合物以及包括其的多层陶瓷电容器 [P].

徐仁泰 ;

金庆植 ;

杜世翰娜 ;

赵志弘 .

韩国专利 :CN115966403B ,2025-04-04

[3]

介电陶瓷组合物、介电材料以及包含其的多层陶瓷电容器 [P].

朴然庭 ;

尹硕晛 ;

金亨旭 ;

金昶勋 ;

金斗永 .

中国专利 :CN106915959A ,2017-07-04

[4]

陶瓷介电组合物以及包含其的多层陶瓷电容器 [P].

朴宰成 ;

尹硕晛 ;

金昶勋 ;

金斗永 ;

曹秀景 .

中国专利 :CN105669192A ,2016-06-15

[5]

介电陶瓷组合物以及包括其的多层陶瓷电容器 [P].

徐仁泰 ;

金庆植 ;

杜世翰娜 ;

赵志弘 .

中国专利 :CN112420383A ,2021-02-26

[6]

陶瓷介电组合物以及包含其的多层陶瓷电容器 [P].

朴宰成 ;

尹硕晛 ;

金昶勋 ;

金斗永 ;

曹秀景 .

中国专利 :CN111362694A ,2020-07-03

[7]

介电陶瓷组合物和包括其的多层陶瓷电容器 [P].

权亨纯 ;

朴宰成 ;

崔民英 ;

尹基明 ;

金亨旭 ;

咸泰瑛 ;

白承仁 .

中国专利 :CN111517780A ,2020-08-11

[8]

介电陶瓷组合物和包括其的多层陶瓷电容器 [P].

咸泰瑛 ;

金亨旭 ;

车炅津 ;

崔民英 ;

赵志弘 ;

白承仁 .

中国专利 :CN111559910A ,2020-08-21

[9]

介电陶瓷组合物和包括其的多层陶瓷电容器 [P].

朴柾玧 ;

朴宰成 ;

金庆植 ;

赵志弘 .

中国专利 :CN112299840A ,2021-02-02

[10]

多层陶瓷电容器和介电组合物 [P].

金珍友 ;

李种晧 ;

辛敏基 ;

金学宽 ;

金晋模 ;

李治和 ;

金弘锡 ;

金佑燮 ;

朴昌华 .

韩国专利 :CN114388271B ,2024-11-15

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