光学邻近修正方法、掩膜版的制作方法及半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010012579.9

申请日：

2020-01-06

公开(公告)号：

CN113075855B

公开(公告)日：

2024-04-19

发明(设计)人：

袁姣王伟斌王栋王兴荣

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

G03F1/36

IPC分类号：

G03F7/20 H01L21/027

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-19	授权	授权

共 50 条

[1]

光学邻近修正方法、掩膜版的制作方法及半导体结构的形成方法 [P].

袁姣 ;

王伟斌 ;

王栋 ;

王兴荣 .

中国专利 :CN113075855A ,2021-07-06

[2]

光学邻近修正方法、掩膜版制作及半导体结构的形成方法 [P].

王占雨 ;

贺婷 ;

覃柳莎 ;

王杰 ;

张迎春 .

中国专利 :CN114200767A ,2022-03-18

[3]

光学邻近修正方法、掩膜版制作及半导体结构的形成方法 [P].

王占雨 ;

贺婷 ;

覃柳莎 ;

王杰 ;

张迎春 .

中国专利 :CN114200767B ,2025-04-18

[4]

光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法 [P].

陈术 .

中国专利 :CN113495424A ,2021-10-12

[5]

光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法 [P].

陈术 .

中国专利 :CN113495424B ,2024-04-19

[6]

光学邻近修正方法及掩膜版制作方法 [P].

陈术 .

中国专利 :CN113050368A ,2021-06-29

[7]

光学临近修正方法、掩膜版以及半导体结构的形成方法 [P].

王晓艳 ;

陈譞博 ;

杨青 .

中国专利 :CN120949501A ,2025-11-14

[8]

掩膜版图形的修正方法、掩膜版和半导体结构的形成方法 [P].

李亮 ;

杜杳隽 ;

倪昶 .

中国专利 :CN112987485A ,2021-06-18

[9]

光学邻近校正方法及掩膜版的制作方法 [P].

杨青 .

中国专利 :CN110221514B ,2019-09-10

[10]

光学邻近修正方法、半导体结构的形成方法、存储介质及终端 [P].

孙卫 ;

袁姣 ;

方周 .

中国专利 :CN120686529A ,2025-09-23

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