光学临近修正方法、掩膜版以及半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410599639.X

申请日：

2024-05-14

公开(公告)号：

CN120949501A

公开(公告)日：

2025-11-14

发明(设计)人：

王晓艳陈譞博杨青

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

G03F1/36

IPC分类号：

G03F7/00 G03F1/70 H01L21/027

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G03F 1/36申请日:20240514
2025-11-14	公开	公开

共 50 条

[1]

光学邻近修正方法、掩膜版制作及半导体结构的形成方法 [P].

王占雨 ;

贺婷 ;

覃柳莎 ;

王杰 ;

张迎春 .

中国专利 :CN114200767B ,2025-04-18

[2]

光学邻近修正方法、掩膜版制作及半导体结构的形成方法 [P].

王占雨 ;

贺婷 ;

覃柳莎 ;

王杰 ;

张迎春 .

中国专利 :CN114200767A ,2022-03-18

[3]

半导体结构、形成方法以及掩膜版 [P].

王楠 .

中国专利 :CN114068558B ,2025-12-09

[4]

半导体结构、形成方法以及掩膜版 [P].

王楠 .

中国专利 :CN114068558A ,2022-02-18

[5]

掩膜版以及半导体结构的形成方法 [P].

游林 ;

张婉娟 ;

陈术 .

中国专利 :CN112946995A ,2021-06-11

[6]

半导体结构的形成方法以及掩膜版 [P].

金吉松 .

中国专利 :CN114388430A ,2022-04-22

[7]

掩膜版以及半导体结构的形成方法 [P].

游林 ;

张婉娟 ;

陈术 .

中国专利 :CN112946995B ,2024-10-25

[8]

掩膜版图形的修正方法、掩膜版和半导体结构的形成方法 [P].

李亮 ;

杜杳隽 ;

倪昶 .

中国专利 :CN112987485A ,2021-06-18

[9]

光学邻近修正方法、掩膜版的制作方法及半导体结构的形成方法 [P].

袁姣 ;

王伟斌 ;

王栋 ;

王兴荣 .

中国专利 :CN113075855A ,2021-07-06

[10]

光学邻近修正方法、掩膜版的制作方法及半导体结构的形成方法 [P].

袁姣 ;

王伟斌 ;

王栋 ;

王兴荣 .

中国专利 :CN113075855B ,2024-04-19

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