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光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201911386643.3
申请日
:
2020-04-08
公开(公告)号
:
CN113495424A
公开(公告)日
:
2021-10-12
发明(设计)人
:
陈术
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
:
G03F136
IPC分类号
:
G03F720
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
徐文欣
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-10-29
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/36 申请日:20200408
2021-10-12
公开
公开
共 50 条
[1]
光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法
[P].
陈术
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
陈术
.
中国专利
:CN113495424B
,2024-04-19
[2]
光学邻近修正方法、掩膜版的制作方法及半导体结构的形成方法
[P].
袁姣
论文数:
0
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0
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0
袁姣
;
王伟斌
论文数:
0
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0
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王伟斌
;
王栋
论文数:
0
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0
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0
王栋
;
王兴荣
论文数:
0
引用数:
0
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0
王兴荣
.
中国专利
:CN113075855A
,2021-07-06
[3]
光学邻近修正方法、掩膜版的制作方法及半导体结构的形成方法
[P].
袁姣
论文数:
0
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0
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0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
袁姣
;
王伟斌
论文数:
0
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0
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0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
王伟斌
;
王栋
论文数:
0
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0
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0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
王栋
;
王兴荣
论文数:
0
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0
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0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
王兴荣
.
中国专利
:CN113075855B
,2024-04-19
[4]
光学邻近修正方法、掩膜版制作及半导体结构的形成方法
[P].
王占雨
论文数:
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0
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0
王占雨
;
贺婷
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贺婷
;
覃柳莎
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覃柳莎
;
王杰
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0
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王杰
;
张迎春
论文数:
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张迎春
.
中国专利
:CN114200767A
,2022-03-18
[5]
光学邻近修正方法、掩膜版制作及半导体结构的形成方法
[P].
王占雨
论文数:
0
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0
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机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
王占雨
;
贺婷
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0
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机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
贺婷
;
覃柳莎
论文数:
0
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机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
覃柳莎
;
王杰
论文数:
0
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机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
王杰
;
张迎春
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
张迎春
.
中国专利
:CN114200767B
,2025-04-18
[6]
掩膜版版图的修正方法及掩膜版版图
[P].
郑二虎
论文数:
0
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0
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0
郑二虎
;
张冬平
论文数:
0
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张冬平
;
洪中山
论文数:
0
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0
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0
洪中山
.
中国专利
:CN113517180A
,2021-10-19
[7]
光学邻近修正方法、连接孔的制作方法
[P].
张婉娟
论文数:
0
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0
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0
张婉娟
;
林益世
论文数:
0
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0
h-index:
0
林益世
.
中国专利
:CN103186033A
,2013-07-03
[8]
光学邻近修正方法
[P].
从传飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
从传飞
.
中国专利
:CN118884774A
,2024-11-01
[9]
光学邻近修正方法
[P].
王铁柱
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王铁柱
.
中国专利
:CN104749899B
,2015-07-01
[10]
光学邻近修正方法及其系统、光罩的制作方法
[P].
刘蕊华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京超弦存储器研究院
北京超弦存储器研究院
刘蕊华
.
中国专利
:CN118605076A
,2024-09-06
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