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半导体晶片用干冰清洗装置及半导体晶片的清洗方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202280067671.2
申请日：
2022-11-14
公开(公告)号：
CN118056266A
公开(公告)日：
2024-05-17
发明(设计)人：
矢野良树
渕上庆太
申请人：
大阳日酸株式会社
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
H01L21/304
IPC分类号：
B08B7/00
H01L21/677
代理机构：
北京德琦知识产权代理有限公司 11018
代理人：
崔今花;周艳玲
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-05-17 | 公开 | 公开 |
| 2024-06-04 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/304申请日:20221114 |