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四层半导体器件及ESD保护电路
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311260256.1
申请日
:
2023-09-27
公开(公告)号
:
CN117855210A
公开(公告)日
:
2024-04-09
发明(设计)人
:
马库斯·默根斯
申请人
:
安世有限公司
申请人地址
:
荷兰奈梅亨
IPC主分类号
:
H01L27/02
IPC分类号
:
代理机构
:
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
:
盛博;周际
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-10-24
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/02申请日:20230927
2024-04-09
公开
公开
共 50 条
[1]
ESD保护半导体器件及ESD保护电路
[P].
马库斯·默根斯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
安世有限公司
安世有限公司
马库斯·默根斯
;
汉斯-马丁·里特
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
安世有限公司
安世有限公司
汉斯-马丁·里特
.
:CN120417491A
,2025-08-01
[2]
ESD保护电路和半导体器件
[P].
高桥幸雄
论文数:
0
引用数:
0
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0
高桥幸雄
;
吉田浩介
论文数:
0
引用数:
0
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0
吉田浩介
.
中国专利
:CN101599491A
,2009-12-09
[3]
双向ESD保护电路及半导体器件
[P].
信亚杰
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海新微半导体有限公司
上海新微半导体有限公司
信亚杰
;
雷嘉成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海新微半导体有限公司
上海新微半导体有限公司
雷嘉成
;
郭德霄
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海新微半导体有限公司
上海新微半导体有限公司
郭德霄
.
中国专利
:CN118970853A
,2024-11-15
[4]
ESD保护电路及其半导体器件
[P].
艾瑞克·布劳恩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
艾瑞克·布劳恩
.
中国专利
:CN106653736A
,2017-05-10
[5]
ESD保护电路及包括ESD保护电路的半导体设备
[P].
辻川真平
论文数:
0
引用数:
0
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0
辻川真平
.
中国专利
:CN103151347A
,2013-06-12
[6]
ESD保护半导体器件
[P].
沃尔夫冈·赖因普雷希特
论文数:
0
引用数:
0
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0
沃尔夫冈·赖因普雷希特
.
中国专利
:CN104160509A
,2014-11-19
[7]
半导体ESD器件
[P].
多尔芬·阿贝索卢比责
论文数:
0
引用数:
0
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0
多尔芬·阿贝索卢比责
;
巴特·范维尔岑
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
巴特·范维尔岑
.
中国专利
:CN105047662A
,2015-11-11
[8]
具有保护电路的半导体器件
[P].
本庄敦
论文数:
0
引用数:
0
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0
本庄敦
;
平冈孝之
论文数:
0
引用数:
0
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0
平冈孝之
.
中国专利
:CN1614778A
,2005-05-11
[9]
ESD 保护电路用半导体装置
[P].
中矶俊幸
论文数:
0
引用数:
0
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中矶俊幸
;
加藤登
论文数:
0
引用数:
0
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0
加藤登
.
中国专利
:CN206250192U
,2017-06-13
[10]
具有静电放电保护电路的半导体器件
[P].
金大永
论文数:
0
引用数:
0
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0
金大永
.
中国专利
:CN1064178C
,1998-01-14
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