四层半导体器件及ESD保护电路

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311260256.1
申请日
2023-09-27
公开(公告)号
CN117855210A
公开(公告)日
2024-04-09
发明(设计)人
马库斯·默根斯
申请人
安世有限公司
申请人地址
荷兰奈梅亨
IPC主分类号
H01L27/02
IPC分类号
代理机构
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
盛博;周际
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
ESD保护半导体器件及ESD保护电路 [P]. 
马库斯·默根斯 ;
汉斯-马丁·里特 .
:CN120417491A ,2025-08-01
[2]
ESD保护电路和半导体器件 [P]. 
高桥幸雄 ;
吉田浩介 .
中国专利 :CN101599491A ,2009-12-09
[3]
双向ESD保护电路及半导体器件 [P]. 
信亚杰 ;
雷嘉成 ;
郭德霄 .
中国专利 :CN118970853A ,2024-11-15
[4]
ESD保护电路及其半导体器件 [P]. 
艾瑞克·布劳恩 .
中国专利 :CN106653736A ,2017-05-10
[5]
ESD保护电路及包括ESD保护电路的半导体设备 [P]. 
辻川真平 .
中国专利 :CN103151347A ,2013-06-12
[6]
ESD保护半导体器件 [P]. 
沃尔夫冈·赖因普雷希特 .
中国专利 :CN104160509A ,2014-11-19
[7]
半导体ESD器件 [P]. 
多尔芬·阿贝索卢比责 ;
巴特·范维尔岑 .
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[8]
具有保护电路的半导体器件 [P]. 
本庄敦 ;
平冈孝之 .
中国专利 :CN1614778A ,2005-05-11
[9]
ESD 保护电路用半导体装置 [P]. 
中矶俊幸 ;
加藤登 .
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[10]
具有静电放电保护电路的半导体器件 [P]. 
金大永 .
中国专利 :CN1064178C ,1998-01-14