ESD保护电路和半导体器件

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专利类型
发明
申请号
CN200910146025.1
申请日
2009-06-05
公开(公告)号
CN101599491A
公开(公告)日
2009-12-09
发明(设计)人
高桥幸雄 吉田浩介
申请人
申请人地址
日本神奈川
IPC主分类号
H01L27082
IPC分类号
H01L2973 H01L2906 H01L2360
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人
孙志湧;穆德骏
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
ESD保护半导体器件及ESD保护电路 [P]. 
马库斯·默根斯 ;
汉斯-马丁·里特 .
:CN120417491A ,2025-08-01
[2]
ESD保护电路及其半导体器件 [P]. 
艾瑞克·布劳恩 .
中国专利 :CN106653736A ,2017-05-10
[3]
双向ESD保护电路及半导体器件 [P]. 
信亚杰 ;
雷嘉成 ;
郭德霄 .
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[4]
半导体器件和保护电路 [P]. 
高桥幸雄 .
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[5]
四层半导体器件及ESD保护电路 [P]. 
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:CN117855210A ,2024-04-09
[6]
保护电路和半导体器件 [P]. 
西田知矢 ;
本山理一 ;
二井英昭 .
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[7]
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[8]
具有保护电路的半导体器件 [P]. 
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[9]
ESD保护结构、集成电路和半导体器件 [P]. 
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[10]
半导体电路和半导体器件 [P]. 
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