双向ESD保护电路及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411056091.0

申请日：

2024-08-02

公开(公告)号：

CN118970853A

公开(公告)日：

2024-11-15

发明(设计)人：

信亚杰雷嘉成郭德霄

申请人：

上海新微半导体有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区飞渡路2020号

IPC主分类号：

H02H9/04

IPC分类号：

H02H9/02

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

宋艳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H02H 9/04申请日:20240802
2024-11-15	公开	公开

共 50 条

[1]

ESD保护半导体器件及ESD保护电路 [P].

马库斯·默根斯 ;

汉斯-马丁·里特 .

:CN120417491A ,2025-08-01

[2]

ESD保护电路及其半导体器件 [P].

艾瑞克·布劳恩 .

中国专利 :CN106653736A ,2017-05-10

[3]

ESD保护电路和半导体器件 [P].

高桥幸雄 ;

吉田浩介 .

中国专利 :CN101599491A ,2009-12-09

[4]

四层半导体器件及ESD保护电路 [P].

马库斯·默根斯 .

:CN117855210A ,2024-04-09

[5]

ESD保护电路及包括ESD保护电路的半导体设备 [P].

辻川真平 .

中国专利 :CN103151347A ,2013-06-12

[6]

ESD保护器件、ESD保护电路及芯片 [P].

黄璐 ;

黄勇 ;

周婉艺 ;

毕睿 ;

李月春 ;

赵姝雅 ;

吴林 .

中国专利 :CN119866065A ,2025-04-22

[7]

半导体集成电路的ESD保护电路 [P].

须藤稔 .

中国专利 :CN102738782B ,2012-10-17

[8]

具备ESD保护电路的半导体装置 [P].

片仓贵司 ;

原田博文 ;

广瀬嘉胤 .

中国专利 :CN103972230B ,2014-08-06

[9]

ESD 保护电路用半导体装置 [P].

中矶俊幸 ;

加藤登 .

中国专利 :CN206250192U ,2017-06-13

[10]

双向ESD保护电路 [P].

蒂莫西·帕特里克·保莱蒂 ;

萨米尔·彭德哈克 ;

韦恩·天峰·陈 ;

乔纳森·布罗德斯基 ;

罗伯特·斯坦霍夫 .

中国专利 :CN101048867A ,2007-10-03

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