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ESD保护半导体器件及ESD保护电路

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510124117.9
申请日：
2025-01-26
公开(公告)号：
CN120417491A
公开(公告)日：
2025-08-01
发明(设计)人：
马库斯·默根斯 汉斯-马丁·里特
申请人：
安世有限公司
申请人地址：
荷兰奈梅亨
IPC主分类号：
H10D89/60
IPC分类号：
H10D62/10
代理机构：
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人：
麦善勇;张天舒
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-08-01 公开 公开
共 50 条
[1]
ESD保护电路和半导体器件 [P]. 
高桥幸雄 ;
吉田浩介 .
中国专利 :CN101599491A ,2009-12-09
[2]
ESD保护器件、ESD保护电路及芯片 [P]. 
黄璐 ;
黄勇 ;
周婉艺 ;
毕睿 ;
李月春 ;
赵姝雅 ;
吴林 .
中国专利 :CN119866065A ,2025-04-22
[3]
四层半导体器件及ESD保护电路 [P]. 
马库斯·默根斯 .
:CN117855210A ,2024-04-09
[4]
双向ESD保护电路及半导体器件 [P]. 
信亚杰 ;
雷嘉成 ;
郭德霄 .
中国专利 :CN118970853A ,2024-11-15
[5]
ESD保护电路及其半导体器件 [P]. 
艾瑞克·布劳恩 .
中国专利 :CN106653736A ,2017-05-10
[6]
ESD 保护电路用半导体装置 [P]. 
中矶俊幸 ;
加藤登 .
中国专利 :CN206250192U ,2017-06-13
[7]
ESD保护电路及包括ESD保护电路的半导体设备 [P]. 
辻川真平 .
中国专利 :CN103151347A ,2013-06-12
[8]
串联ESD保护电路 [P]. 
H·L·爱德华兹 ;
A·A·萨尔曼 ;
M·I·马哈茂德 .
中国专利 :CN104934381A ,2015-09-23
[9]
一种PNPN型ESD保护器件及ESD保护电路 [P]. 
陶园林 .
中国专利 :CN103545310A ,2014-01-29
[10]
ESD保护半导体器件 [P]. 
沃尔夫冈·赖因普雷希特 .
中国专利 :CN104160509A ,2014-11-19
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