一种降低半导体外延片翘曲度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210729428.4

申请日：

2022-06-24

公开(公告)号：

CN115110153B

公开(公告)日：

2024-01-02

发明(设计)人：

马爽韩景瑞李锡光丁雄傑邱树杰

申请人：

广东天域半导体股份有限公司

申请人地址：

523000 广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼

IPC主分类号：

C30B33/02

IPC分类号：

C30B31/00 C30B29/36

代理机构：

广东莞信律师事务所 44332

代理人：

谢树宏

法律状态：

授权

国省代码：

广东省东莞市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-02	授权	授权

共 50 条

[1]

一种降低半导体外延片翘曲度的方法 [P].

马爽 ;

韩景瑞 ;

李锡光 ;

丁雄傑 ;

邱树杰 .

中国专利 :CN115110153A ,2022-09-27

[2]

降低外延片翘曲度的方法及其外延片 [P].

黄敏 ;

杨军伟 ;

陈蛟 ;

宋华平 ;

简基康 ;

王文军 ;

陈小龙 .

中国专利 :CN111725051A ,2020-09-29

[3]

降低外延片翘曲度的方法及外延片 [P].

刘召军 ;

劳兴超 ;

张珂 ;

莫炜静 ;

刘斌芝 .

中国专利 :CN112802743A ,2021-05-14

[4]

半导体外延片 [P].

苏军 .

中国专利 :CN218101270U ,2022-12-20

[5]

一种半导体外延片 [P].

孙一军 ;

金豫浙 ;

冯亚萍 ;

李志聪 ;

王国宏 .

中国专利 :CN206116447U ,2017-04-19

[6]

一种半导体外延片 [P].

陈海宁 .

中国专利 :CN209896040U ,2020-01-03

[7]

氮化物半导体外延片的制造方法及氮化物半导体外延片用复合基板 [P].

土屋庆太郎 ;

久保埜一平 ;

萩本和德 .

日本专利 :CN119998503A ,2025-05-13

[8]

基于温度补偿的半导体外延片的制备方法及半导体外延片 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN114566571A ,2022-05-31

[9]

半导体外延片结构 [P].

苏军 .

中国专利 :CN218004867U ,2022-12-09

[10]

半导体外延结构和半导体外延生长方法 [P].

张海林 ;

陈龙 ;

刘庆波 ;

黎子兰 .

中国专利 :CN120187055A ,2025-06-20

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