降低外延片翘曲度的方法及外延片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110043648.7

申请日：

2021-01-13

公开(公告)号：

CN112802743A

公开(公告)日：

2021-05-14

发明(设计)人：

刘召军劳兴超张珂莫炜静刘斌芝

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区工业园路1号1栋凯豪达大厦十三层1309

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

H01L3300 H01L3312

代理机构：

深圳中细软知识产权代理有限公司 44528

代理人：

孙凯乐

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/304 申请日:20210113
2021-05-14	公开	公开

共 50 条

[1]

降低外延片翘曲度的方法及其外延片 [P].

黄敏 ;

杨军伟 ;

陈蛟 ;

宋华平 ;

简基康 ;

王文军 ;

陈小龙 .

中国专利 :CN111725051A ,2020-09-29

[2]

降低硅片外延后翘曲度的方法及硅外延片 [P].

杨泉 ;

戎骁 ;

诸怡晨 ;

顾广安 .

中国专利 :CN119710938A ,2025-03-28

[3]

外延片的制备方法和外延片 [P].

林凡 ;

张高俊 ;

倪健 ;

周均铭 .

中国专利 :CN120089592B ,2025-12-02

[4]

外延片的制备方法和外延片 [P].

林凡 ;

张高俊 ;

倪健 ;

周均铭 .

中国专利 :CN120089592A ,2025-06-03

[5]

一种降低半导体外延片翘曲度的方法 [P].

马爽 ;

韩景瑞 ;

李锡光 ;

丁雄傑 ;

邱树杰 .

中国专利 :CN115110153B ,2024-01-02

[6]

一种降低半导体外延片翘曲度的方法 [P].

马爽 ;

韩景瑞 ;

李锡光 ;

丁雄傑 ;

邱树杰 .

中国专利 :CN115110153A ,2022-09-27

[7]

苏军 .

中国专利 :CN218414586U ,2023-01-31

[8]

LED外延片 [P].

苗振林 .

中国专利 :CN102522471A ,2012-06-27

[9]

外延片的制造方法及外延片 [P].

铃木克佳 ;

铃木温 .

中国专利 :CN114930500A ,2022-08-19

[10]

外延片处理方法、外延片和Micro-LED阵列 [P].

刘召军 ;

刘时彪 ;

莫炜静 ;

管云芳 .

中国专利 :CN113130307A ,2021-07-16

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