可提高量子阱光吸收率的激光器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811368409.3

申请日：

2018-11-16

公开(公告)号：

CN109449759A

公开(公告)日：

2019-03-08

发明(设计)人：

郭志友张骏孙慧卿

申请人：

申请人地址：

510631 广东省广州市天河区中山大道西55号华南师范大学光电子材料与技术研究所

IPC主分类号：

H01S534

IPC分类号：

H01S5343

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

李斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-08	公开	公开
2019-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/34 申请日:20181116
2020-04-17	授权	授权

共 50 条

[1]

测量激光吸收率的装置 [P].

吴雪峰 ;

高腾飞 .

中国专利 :CN203249885U ,2013-10-23

[2]

一种激光吸收率测量装置及激光吸收率测量方法 [P].

郑长彬 ;

李雪雷 ;

邵俊峰 ;

王化龙 ;

陈飞 ;

王挺峰 ;

曹立华 .

中国专利 :CN108982392A ,2018-12-11

[3]

提高高反射金属表面激光吸收率的方法 [P].

冯爱新 ;

赵莹 ;

刘勇 ;

杨海华 ;

程好 ;

陈欢 ;

贾天代 .

中国专利 :CN107824963A ,2018-03-23

[4]

量子阱激光器及其制备方法 [P].

吕晨 ;

李贞耀 ;

周旭亮 ;

王梦琦 ;

于红艳 ;

潘教青 .

中国专利 :CN119560889A ,2025-03-04

[5]

多量子阱半导体激光器及其制备方法 [P].

张普 ;

刘兴胜 ;

熊玲玲 ;

王贞福 ;

刘晖 ;

聂志强 .

中国专利 :CN102801108B ,2012-11-28

[6]

脊型量子阱/量子点有源区的激光器结构及其制备方法 [P].

董海亮 ;

许并社 ;

贾志刚 ;

贾伟 ;

张爱琴 ;

梁建 .

中国专利 :CN110829169A ,2020-02-21

[7]

提高激光器量子阱载流子限制能力的制备方法 [P].

李翔 ;

赵德刚 ;

江德生 ;

刘宗顺 ;

陈平 ;

朱建军 .

中国专利 :CN104577712A ,2015-04-29

[8]

InGaN/GaN量子阱激光器及其制作方法 [P].

田爱琴 ;

刘建平 ;

张书明 ;

李德尧 ;

张立群 ;

杨辉 .

中国专利 :CN106785919B ,2017-05-31

[9]

InGaN/AlInN量子阱激光器及其制作方法 [P].

郭志友 ;

侯玉菲 ;

孙慧卿 ;

汪鑫 ;

张秀 ;

龚星 ;

徐智鸿 ;

刘天意 .

中国专利 :CN107579432B ,2018-01-12

[10]

一种铝量子阱激光器及其制备方法 [P].

张海超 ;

穆瑶 ;

师宇晨 ;

李马惠 ;

潘彦廷 .

中国专利 :CN113078553A ,2021-07-06

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