外延片的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200780012151.7
申请日
2007-01-24
公开(公告)号
CN101415866B
公开(公告)日
2009-04-22
发明(设计)人
古屋田荣 高石和成 桥井友裕 村山克彦 加藤健夫
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L21302
IPC分类号
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
熊玉兰;李平英
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
外延片的制造方法及外延片 [P]. 
铃木克佳 ;
铃木温 .
中国专利 :CN114930500A ,2022-08-19
[2]
外延片的制造方法 [P]. 
铃木克佳 ;
铃木温 .
日本专利 :CN114930500B ,2025-12-05
[3]
异质外延片的制造方法 [P]. 
松原寿树 ;
铃木温 ;
大槻刚 ;
阿部达夫 .
日本专利 :CN118202096A ,2024-06-14
[4]
异质外延片的制造方法 [P]. 
松原寿树 ;
铃木温 ;
大槻刚 ;
阿部达夫 .
日本专利 :CN119343486A ,2025-01-21
[5]
外延片及其制造方法 [P]. 
三浦祥纪 ;
藤田庆一郎 ;
竹本菊郎 ;
松岛政人 ;
松原秀树 ;
高岸成典 ;
关寿 ;
纐缬明伯 .
中国专利 :CN1134037A ,1996-10-23
[6]
外延片的制造方法、外延生长用硅系基板及外延片 [P]. 
土屋庆太郎 ;
萩本和德 ;
篠宫胜 .
中国专利 :CN112753092A ,2021-05-04
[7]
外延片的制造方法 [P]. 
大槻刚 ;
水泽康 ;
铃木克佳 ;
石崎顺也 .
中国专利 :CN110678964A ,2020-01-10
[8]
外延片的制造方法、外延生长用硅系基板及外延片 [P]. 
土屋庆太郎 ;
萩本和德 ;
篠宫胜 .
日本专利 :CN112753092B ,2024-12-20
[9]
表面处理方法、硅外延片的制造方法以及硅外延片 [P]. 
保科祐章 ;
田中纪通 .
中国专利 :CN1574247A ,2005-02-02
[10]
硅外延片的制造方法及硅外延片 [P]. 
金谷晃一 ;
西泽毅 .
中国专利 :CN1864245A ,2006-11-15