半导体腔室的固定组件及半导体腔室

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010445968.0
申请日
2020-05-22
公开(公告)号
CN111613506A
公开(公告)日
2020-09-01
发明(设计)人
王德志 柳朋亮
申请人
申请人地址
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
H01J3720
IPC分类号
H01J37305 H01J3732 H01L2167 H01L21687
代理机构
北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315
代理人
施敬勃
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体腔室的下电极组件及半导体腔室 [P]. 
王岩 ;
王伟 .
中国专利 :CN217182157U ,2022-08-12
[2]
半导体腔室及半导体设备 [P]. 
平林军 ;
周志文 .
中国专利 :CN112133669A ,2020-12-25
[3]
半导体腔室及半导体设备 [P]. 
平林军 ;
周志文 .
中国专利 :CN112133669B ,2024-03-26
[4]
半导体设备及半导体腔室 [P]. 
邓晓军 ;
徐爽 .
中国专利 :CN113097106A ,2021-07-09
[5]
半导体设备及半导体腔室 [P]. 
邓晓军 ;
徐爽 .
中国专利 :CN113097106B ,2024-05-17
[6]
半导体腔室的承载装置及半导体腔室 [P]. 
王福来 .
中国专利 :CN114695243A ,2022-07-01
[7]
半导体腔室的承载装置及半导体腔室 [P]. 
王福来 .
中国专利 :CN114695243B ,2024-10-25
[8]
半导体腔室 [P]. 
杨依龙 .
中国专利 :CN114107931A ,2022-03-01
[9]
半导体腔室 [P]. 
王迪 .
中国专利 :CN119710614A ,2025-03-28
[10]
半导体腔室 [P]. 
高晓丽 ;
傅新宇 .
中国专利 :CN115044878A ,2022-09-13