半导体腔室

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111402282.4
申请日
2021-11-19
公开(公告)号
CN114107931A
公开(公告)日
2022-03-01
发明(设计)人
杨依龙
申请人
申请人地址
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
C23C1450
IPC分类号
H01L21203
代理机构
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
彭瑞欣;王婷
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体腔室 [P]. 
王迪 .
中国专利 :CN119710614A ,2025-03-28
[2]
半导体腔室 [P]. 
高晓丽 ;
傅新宇 .
中国专利 :CN115044878A ,2022-09-13
[3]
半导体腔室 [P]. 
范天庆 .
中国专利 :CN120026299A ,2025-05-23
[4]
半导体腔室 [P]. 
张同文 .
中国专利 :CN114196931A ,2022-03-18
[5]
半导体腔室 [P]. 
鲁艳成 .
中国专利 :CN114156211A ,2022-03-08
[6]
半导体腔室 [P]. 
刘晓杰 ;
赵永飞 ;
赵佳彬 ;
李补忠 ;
郑建宇 ;
王旸 .
中国专利 :CN218004807U ,2022-12-09
[7]
半导体腔室的承载装置及半导体腔室 [P]. 
王福来 .
中国专利 :CN114695243A ,2022-07-01
[8]
半导体腔室的承载装置及半导体腔室 [P]. 
王福来 .
中国专利 :CN114695243B ,2024-10-25
[9]
半导体腔室的固定组件及半导体腔室 [P]. 
王德志 ;
柳朋亮 .
中国专利 :CN111613506A ,2020-09-01
[10]
半导体腔室的下电极组件及半导体腔室 [P]. 
王岩 ;
王伟 .
中国专利 :CN217182157U ,2022-08-12