半导体腔室的下电极组件及半导体腔室

被引：0

申请号：

CN202220575827.5

申请日：

2022-03-16

公开(公告)号：

CN217182157U

公开(公告)日：

2022-08-12

发明(设计)人：

王岩王伟

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01L21683

IPC分类号：

H01L21687 H01L2167

代理机构：

北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315

代理人：

兰天爵

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-12	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体腔室的固定组件及半导体腔室 [P].

王德志 ;

柳朋亮 .

中国专利 :CN111613506A ,2020-09-01

[2]

半导体腔室 [P].

刘晓杰 ;

赵永飞 ;

赵佳彬 ;

李补忠 ;

郑建宇 ;

王旸 .

中国专利 :CN218004807U ,2022-12-09

[3]

半导体腔室的承载装置及半导体腔室 [P].

王福来 .

中国专利 :CN114695243A ,2022-07-01

[4]

半导体腔室的承载装置及半导体腔室 [P].

王福来 .

中国专利 :CN114695243B ,2024-10-25

[5]

半导体腔室 [P].

杨依龙 .

中国专利 :CN114107931A ,2022-03-01

[6]

半导体腔室 [P].

王迪 .

中国专利 :CN119710614A ,2025-03-28

[7]

半导体腔室 [P].

高晓丽 ;

傅新宇 .

中国专利 :CN115044878A ,2022-09-13

[8]

半导体腔室 [P].

范天庆 .

中国专利 :CN120026299A ,2025-05-23

[9]

半导体腔室 [P].

张同文 .

中国专利 :CN114196931A ,2022-03-18

[10]

半导体腔室及半导体设备 [P].

孙中岳 .

中国专利 :CN220665444U ,2024-03-26

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