坩埚及分子束外延系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110938739.7

申请日：

2021-08-16

公开(公告)号：

CN113774477A

公开(公告)日：

2021-12-10

发明(设计)人：

高达王丹李震王丛王经纬刘铭

申请人：

申请人地址：

100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号

IPC主分类号：

C30B2514

IPC分类号：

C30B2948

代理机构：

工业和信息化部电子专利中心 11010

代理人：

罗丹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-10	公开	公开
2021-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/14 申请日:20210816

共 50 条

[1]

集成式分子束外延坩埚制作方法、外延坩埚及分子束源炉 [P].

黄星星 ;

吴进 ;

毕诗博 ;

侯少毅 ;

胡强 .

中国专利 :CN115637490A ,2023-01-24

[2]

集成式分子束外延坩埚制作方法、外延坩埚及分子束源炉 [P].

黄星星 ;

吴进 ;

毕诗博 ;

侯少毅 ;

胡强 .

中国专利 :CN115637490B ,2024-11-12

[3]

分子束外延系统 [P].

高鸿钧 ;

吴泽宾 ;

高兆艳 ;

陈喜亚 ;

郇庆 .

中国专利 :CN109402732A ,2019-03-01

[4]

分子束外延系统及分子束外延表面的温度控制方法 [P].

高达 ;

王经纬 ;

周朋 ;

刘铭 ;

宁提 ;

谭振 .

中国专利 :CN112160030A ,2021-01-01

[5]

分子束整流机构、坩埚、蒸发源炉和分子束外延设备 [P].

楼厦 ;

薛聪 ;

倪健 .

中国专利 :CN117364232A ,2024-01-09

[6]

Si热束源及分子束外延系统 [P].

谢斌平 ;

杨贺鸣 ;

陈飞 .

中国专利 :CN220977121U ,2024-05-17

[7]

一种分子束外延用蒸发坩埚 [P].

卢灿忠 ;

陈旭林 ;

张孝文 ;

陶晓栋 .

中国专利 :CN216473577U ,2022-05-10

[8]

坩埚、蒸发源炉和分子束外延设备 [P].

彭长四 ;

周均铭 ;

张培宣 ;

倪健 .

中国专利 :CN221028778U ,2024-05-28

[9]

分子束外延设备的样品台及分子束外延设备 [P].

楼厦 ;

倪健 ;

赵金堂 .

中国专利 :CN120425453A ,2025-08-05

[10]

分子束外延设备的源炉及分子束外延设备 [P].

彭长四 ;

周均铭 ;

倪健 .

中国专利 :CN220867575U ,2024-04-30

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