半导体样品的抛光方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811322962.3

申请日：

2018-11-08

公开(公告)号：

CN111152072B

公开(公告)日：

2020-05-15

发明(设计)人：

刘慧

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

B24B100

IPC分类号：

B24B4912

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

邓云鹏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-15	公开	公开
2022-03-11	授权	授权
2020-06-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 1/00 申请日:20181108

共 50 条

[1]

半导体样品的制备方法及半导体样品 [P].

原浩 ;

陈倩 .

中国专利 :CN120558659A ,2025-08-29

[2]

抛光半导体晶片的方法 [P].

A·海尔迈尔 ;

V·杜奇克 ;

L·米斯图尔 ;

T·奥尔布里希 ;

D·迈尔 ;

V·吴 .

中国专利 :CN111683792B ,2020-09-18

[3]

半导体衬底抛光方法 [P].

罗标 ;

周正东 ;

刘立安 .

中国专利 :CN119943646A ,2025-05-06

[4]

半导体样品引线用抛光装置 [P].

汪良恩 ;

杨华 ;

朱京江 ;

陆安 .

中国专利 :CN222553123U ,2025-03-04

[5]

抛光垫及抛光半导体晶片的方法 [P].

青井裕美 ;

志保浩司 ;

长谷川亨 ;

川桥信夫 .

中国专利 :CN1569398A ,2005-01-26

[6]

半导体晶片的双面抛光方法 [P].

久保田真美 ;

福原史也 ;

三浦友纪 .

中国专利 :CN110235225B ,2019-09-13

[7]

半导体材料晶片的抛光方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN104064455B ,2014-09-24

[8]

半导体晶圆的抛光方法 [P].

赵厚莹 .

中国专利 :CN107953225A ,2018-04-24

[9]

半导体样品的评价方法、半导体样品的评价装置以及半导体晶片的制造方法 [P].

麓秀斗 ;

佐俣秀一 ;

三次伯知 .

日本专利 :CN120642038A ,2025-09-12

[10]

半导体样品的评价方法、半导体样品的评价装置及半导体晶片的制造方法 [P].

麓秀斗 ;

佐俣秀一 ;

三次伯知 .

日本专利 :CN118215991A ,2024-06-18

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