半导体样品引线用抛光装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202421340923.7

申请日：

2024-06-12

公开(公告)号：

CN222553123U

公开(公告)日：

2025-03-04

发明(设计)人：

汪良恩杨华朱京江陆安

申请人：

安徽安美半导体有限公司

申请人地址：

247099 安徽省池州市经济技术开发区富安电子信息产业园10号厂房

IPC主分类号：

B24B21/02

IPC分类号：

B24B21/18 B24B41/06

代理机构：

北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11542

代理人：

徐婷

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种半导体双面抛光装置 [P].

郭炳熙 ;

王国超 ;

孙美玉 .

中国专利 :CN218194438U ,2023-01-03

[2]

半导体研磨抛光装置 [P].

姚力军 ;

黄引驰 ;

姚佩佩 ;

蔡杨港 ;

黄文杰 ;

滕俊 ;

吴丹 .

中国专利 :CN119115804A ,2024-12-13

[3]

一种半导体晶圆生产用抛光装置 [P].

任国伟 .

中国专利 :CN117564857A ,2024-02-20

[4]

一种半导体硅片用抛光装置 [P].

李文明 ;

龙科 .

中国专利 :CN218461836U ,2023-02-10

[5]

一种半导体加工用抛光装置 [P].

林浩 ;

朱丽华 ;

曹祥俊 .

中国专利 :CN118789426A ,2024-10-18

[6]

一种半导体加工用抛光装置 [P].

秦小军 .

中国专利 :CN113510601B ,2021-10-19

[7]

半导体晶片,抛光装置和方法 [P].

E·博维奥 ;

P·科尔贝利尼 ;

M·莫尔甘蒂 ;

G·内格里 ;

P·D·阿尔布雷克特 .

中国专利 :CN1461251A ,2003-12-10

[8]

一种半导体材料生产用研磨抛光设备 [P].

聂新明 ;

赵波 .

中国专利 :CN117506698A ,2024-02-06

[9]

半导体样品的抛光方法 [P].

刘慧 .

中国专利 :CN111152072B ,2020-05-15

[10]

半导体抛光装置 [P].

古谷和之 ;

赤盐典彦 ;

小布施敦史 ;

饭岛启太 .

中国专利 :CN306638443S ,2021-06-25

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