一种SOI衬底和具有SOI衬底的半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010291541.6

申请日：

2010-09-25

公开(公告)号：

CN102412180A

公开(公告)日：

2012-04-11

发明(设计)人：

钟汇才梁擎擎

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

北京市立方律师事务所 11330

代理人：

马佑平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101250910625 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2010102915416 申请日:20100925
2014-06-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101701744073 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2010102915416 申请公布日:20120411
2012-04-11	公开	公开

共 50 条

[1]

SOI衬底、半导体器件及其形成方法 [P].

陈达 .

中国专利 :CN109003936B ,2018-12-14

[2]

SOI衬底、半导体器件及其形成方法 [P].

陈达 .

中国专利 :CN108682649B ,2018-10-19

[3]

SOI衬底、SOI器件及其形成方法 [P].

罗浩 .

中国专利 :CN115440790A ,2022-12-06

[4]

SOI衬底、SOI器件及其形成方法 [P].

罗浩 .

中国专利 :CN115440790B ,2025-08-22

[5]

SOI衬底及其制造方法和半导体器件 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN101669193B ,2010-03-10

[6]

使用体半导体晶片形成改善的SOI衬底 [P].

D·奇丹巴尔拉奥 ;

W·K·汉森 ;

吴洪业 ;

K·里姆 ;

C·H·沃恩 .

中国专利 :CN101454889B ,2009-06-10

[7]

半导体结构及其形成方法、形成SOI衬底的方法 [P].

吴政达 ;

刘冠良 .

中国专利 :CN112582331A ,2021-03-30

[8]

在SOI衬底上形成的半导体器件 [P].

赵勇洙 .

中国专利 :CN209298120U ,2019-08-23

[9]

半导体器件、半导体器件的衬底结构及其形成方法 [P].

M·艾昂 ;

王新琳 ;

杨敏 .

中国专利 :CN100536144C ,2007-10-31

[10]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

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