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SOI衬底、半导体器件及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810343686.2
申请日：
2018-04-17
公开(公告)号：
CN108682649B
公开(公告)日：
2018-10-19
发明(设计)人：
陈达
申请人：
申请人地址：
315803 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢
IPC主分类号：
H01L21762
IPC分类号：
H01L2906
代理机构：
北京思创大成知识产权代理有限公司 11614
代理人：
张清芳
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2018-10-19 | 公开 | 公开 |
| 2018-11-13 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20180417 |
| 2021-02-05 | 授权 | 授权 |